AO3416 NTR3C21NZ Si2312CDS PMV16XN MOSFET di media è bassa putenza

prudutti

AO3416 NTR3C21NZ Si2312CDS PMV16XN MOSFET di media è bassa putenza

breve descrizzione:

Numero di parte:AO3416 NTR3C21NZ Si2312CDS PMV16XN

Tensione BVDSS:20V

Canale:N-canale

Pacchettu:SOT-23-3L


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu MOSFET

L'ID attuale di AOS AO3416 hè 6.5A, è a resistenza interna RDSON hè 22mΩ.

L'ID attuale nantu à NTR3C21NZ hè 3.6A, è a resistenza interna RDSON hè 24mΩ.

L'ID attuale Nxperian PMV16XN hè 6.8A è a resistenza interna RDSON hè 20mΩ.

L'ID attuale di VISHAY Si2312CDS hè 6A, è a resistenza interna RDSON hè 31.8mΩ.

L'ID attuale Nxperian PMV16XN hè 6.8A è a resistenza interna RDSON hè 20mΩ.

numeru materiale currispundente

WINSOK WST2088A FET voltage BVDSS hè 20V, ID attuale hè 7.5A, resistenza interna RDSON hè 10.7mΩ, canale N, pacchettu hè SOT-23-3L.

Campi d'applicazione MOSFET

E-cigarette MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical MOSFET, caricatore di vittura MOSFET, controller MOSFET, MOSFET di produttu digitale, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.


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