AO6604 AO6608 PJS6601 PDQ3714 Si3585CDV MOSFET di media è bassa putenza

prudutti

AO6604 AO6608 PJS6601 PDQ3714 Si3585CDV MOSFET di media è bassa putenza

breve descrizzione:

Numero di parte:AO6604 AO6608 PJS6601 PDQ3714 Si3585CDV

Canale:Canale N&P

Paquet:SOT-23-6L


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu MOSFET

A tensione AOS AO6604 BVDSS hè 20V -20V, l'ID attuale hè 3.4A -2.5A, a resistenza interna RDSON hè -115mΩ

A tensione AOS AO6608 BVDSS hè 30V -20V, l'ID attuale hè 3.4A -3.3A, a resistenza interna RDSON hè 135mΩ

A tensione PANJIT PJS6601 BVDSS hè 20V 20V, l'ID attuale hè 4.1A -3.1A, a resistenza interna RDSON hè 95mΩ

A tensione BVDSS di POTENS PDQ3714 hè 30V -30V, l'ID attuale hè 4a -3A, a resistenza interna RDSON hè 65mΩ

VISHAY Si3585CDV tensione BVDSS hè 20V -20V, ID attuale hè 3.9A -2.1A, resistenza interna RDSON hè 48mΩ

numeru materiale currispundente

A tensione BVDSS di WINSOK WST2078 FET hè 20V-20V, l'ID attuale hè 3.8A -4.5A, a resistenza interna RDSON hè 45mΩ 65mΩ, N&P Channel, è u pacchettu hè SOT-23-6L.

Campi d'applicazione MOSFET

E-cigarette FET, controller FET, produttu digitale FET, picculu elettrodomesticu FET, FET di l'elettronica di cunsumu.


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