AON6661 AON6667 AOND32324 PJQ5606 PDC3701T MOSFET di putenza di media è bassa tensione
Panoramica di u produttu MOSFET
AOS AON6661 voltage BVDSS hè 30V -30V, ID currente hè 16A -16A, è a resistenza interna RDSON hè 35mΩ.
AOS AON6667 voltage BVDSS hè 30V -30V, ID currente hè 16A -16A, è a resistenza interna RDSON hè 35mΩ.
AOS AOND32324 voltage BVDSS hè 30V -30V, ID currente hè 16A -16A, è a resistenza interna RDSON hè 19.5mΩ.
PANJIT PJQ5606 voltage BVDSS hè 30V -30V, ID currente hè 25A -22A, è a resistenza interna RDSON hè 28mΩ.
POTENS PDC3701T voltage BVDSS hè 30V -30V, ID currenti hè 23.3A 15.2A, è resistenza interna RDSON hè 29mΩ.
numeru materiale currispundente
A tensione BVDSS di WINSOK WSD3023DN56 FET hè 30V/-30V, l'ID attuale hè 14A/-12A, a resistenza interna RDSON hè 14mΩ/23mΩ, N-Ch è P-Channel, è u pacchettu hè DFN5 * 6-8.
Campi d'applicazione MOSFET
UAV MOSFET, MOSFET di mutore, MOSFET di l'elettronica di l'automobile, è MOSFET di l'apparecchi maiò.
