I pannelli di prutezzione di e batterie di litiu sò attualmente largamente utilizati in parechji dispositi elettronici per assicurà un funziunamentu sicuru è stabile di e batterie.Cù l'avanzamentu di a tecnulugia di a batteria di lithium è l'aumentu di a dumanda di l'equipaggiu elettronicu, l'impurtanza di prutezzione di i circuiti di circuiti hè diventata sempre più prominente.In u futuru, stu campu hè previstu di ottene un rendimentu di sicurezza più altu è un livellu di intelligenza, cù un enorme putenziale di sviluppu.
Ci sò qualchi prublemi in l 'applicazzioni diMOSFETin pannelli di prutezzione di batterie di lithium: sò propensi à u surriscaldamentu, risultatu in una efficienza ridutta è una durata di vita ridotta;e restrizioni di taglia affettanu a compattezza di u bordu;sò assai sensibili è suscettibili à i danni di tensione o scossa attuale.UtilizenduWINSOKMOSFET pò aiutà à risolve i prublemi sopra.
Applicazione di MOSFET di media è bassa tensione WINSOK in una scheda di prutezzione di a batteria di lithium, mudelli di applicazioni principali:
| Numeru di parte | Cunfigurazione | Tipu | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchettu | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Tipu. | Max. | Tipu. | Max. | (pF) | ||||
| Dual + ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0.3 | 0.6 | 1.5 | - | - | 610 | SOT-23-6L | |
| Dual + ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0.3 | 0,7 | 1 | - | - | 1219 | DFN2X3 | |
| Dual + ESD | N-Ch | 20 | 9.7 | 0,5 | 0,7 | 1 | - | - | 1470 | DFN2X3 | |
| Dual + ESD | P-Ch | -20 | -3,5 | -0,5 | -0,7 | -1.2 | - | - | 420 | DFN3X2 | |
| Dual + ESD | N-Ch | 20 | 11 | 0.3 | 0,65 | 1 | - | - | 1256 | DFN2X5 | |
| Dual + ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1 | - | - | 900 | TSSOP-8 | |
Altri numeri di materiale di marca chì currispondenu à u WINSOK sopraMOSFETsò:
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WST2066 sò: AOS AO6804A.Onsemi, FAIRCHILD FFDC6373BNZ, FDN028N20.VISHAY SI2312CDS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV16XNEKDT3. R.PANJIT PJA3416AE.APEC AP2346GN.Diodes Incorporated ZXMN2F30FHQ.Sinopower SM2640NHC. NIKO-SEM P2402CAG.Potens Semiconductor PDQ2218.DINTEK ELECTRONICS DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOKMOSFETWsd20683 $ alichemi, fairchild fdme45.nxperian Pmdenx.NO, utnen picq28.rohmt pjq2800.panjit pjq2800.panjit semicondutor PMEB2516Q
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSD2098DN23 sò: NIKO-SEM PB544JU.Potens Semiconductor PMEB2516Q.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSD2067 sò: AOS AON4803, AON4805L.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSD2012DN25 sò: AOS AON5816,5820,AON5802BG.NIKO-SEM PE628HT,PE528BA,PE532DX,PE532DY.
I numeri di materiale currispundenti diWINSOKMOSFET WSP8810 sò: AOS AO8808A.Potens Semiconductor PDEW2210.DINTEK ELECTRONICS DTM8002,DTM8021,DTM8205.
Tempu di Postu: 16-Nov-2023
