Nta l'ultimi anni, l'industria di l'alimentazione di l'unità LED hè stata carattarizata da un rapidu avanzamentu tecnologicu è una dumanda crescente di suluzioni di risparmiu d'energia. Cù a spinta glubale per a sustenibilità, l'adopzione di u mercatu di i sistemi di illuminazione LED hè aumentata significativamente, chì à u turnu hà stimulatu a crescita in l'industria di l'energia LED.
A ghjudicà da a dinamica di u mercatu, l'industria vede a tendenza di i driver LED chì integranu funzioni intelligenti è programabili per risponde à a crescente dumanda di soluzioni di illuminazione intelligente. L'emergenza di l'IoT (Internet of Things) è l'AI (Intelligenza Artificiale) hà fattu e rete di illuminazione più cumplesse, cù i driver LED chì ottimizanu u cunsumu di energia è adattanu à e cundizioni cambianti in tempu reale.
In l'industria di l'energia di u driver LED, l'efficienza è a velocità di cambiamentu diMOSFET(Transistors à Effettu di Campu Semiconductor di Metal Oxide) sò cruciali. Sti dispusitivi semiconductor sò una parte integrante di l'alimentarii LED, postu chì sò capaci di trattà alti currenti cù perdite minime, assicurendu un funziunamentu efficiente d'energia. L'attributi chjave di a tecnulugia MOSFET, bassa resistenza è capacità di commutazione rapida, rinfurzà i disinni di l'alimentazione, permettendu driver LED compatti, affidabili è d'alta prestazione. L'avanzati in u disignu MOSFET, cum'è quelli chì furnisce una carica di porta bassa è un rendimentu termicu migliuratu, cuntinueghjanu à guidà u sviluppu di soluzioni di energia di illuminazione LED cun un focusu nantu à applicazioni sustinibili, efficienti in energia è efficaci.
L'applicazione diWINSOKMOSFET in l'alimentazione di guida LED, i principali mudelli applicati sò:
| Numeru di parte | Cunfigurazione | Tipu | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchettu | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Tipu. | Max. | Tipu. | Max. | (pF) | ||||
| Single | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Dual | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-Ch | -60 | -4,5 | -1,5 | -2 | -2,5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Single | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| Single | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | TO-252 | |
Altri numeri di materiale di marca chì currispondenu à u WINSOK sopraMOSFETsò:
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WST3400 sò: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP6946 sò: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP6067 sò: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET sò: AOS AO4611, AO4612.
I numeri di materiale currispundenti per WINSOK MOSFET WSF15N10 sò: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
I numeri di materiale currispundenti diMOSFET WINSOKWSF40N10 sò: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
In generale, l'industria di l'energia di i driver LED hè pronta per una crescita cuntinua, guidata da l'efficienza energetica, tecnulugie avanzate è a cunvergenza globale di soluzioni di illuminazione intelligenti è sustinibili.
Tempu di Postu: Nov-06-2023
