In l'industria di l'elettronica è di l'automatizazione, l'applicazione diMOSFET(transistor à effettu di campu di l'ossidu di metallu-semiconductor) hè diventatu un fattore chjave per migliurà a prestazione di i regulatori elettronichi di velocità (ESR). Questu articulu hà da scopre cumu funziona i MOSFET è cumu ghjucanu un rolu vitale in u cuntrollu elettronicu di a velocità.
U principiu di funziunamentu di basa di MOSFET:
Un MOSFET hè un dispositivu semiconductor chì accende o spegne u flussu di corrente elettrica per u cuntrollu di tensione. In i regulatori elettronichi di velocità, i MOSFET sò usati cum'è elementi di cambiamentu per regulà u flussu di corrente à u mutore, chì permettenu un cuntrollu precisu di a velocità di u mutore.
Applicazioni di MOSFET in regulatori elettronichi di velocità:
Approfittendu di a so eccellente velocità di commutazione è di capacità di cuntrollu di corrente efficiente, i MOSFET sò largamente usati in i regulatori elettronici di velocità in circuiti PWM (Pulse Width Modulation). Questa applicazione assicura chì u mutore pò operà in modu stabile è efficiente in diverse cundizioni di carica.
Sceglie u MOSFET ghjustu:
Quandu cuncepisce un regulatore elettronicu di velocità, a scelta di u MOSFET ghjustu hè cruciale. I paràmetri da cunsiderà includenu a tensione massima di drain-source (V_DS), a corrente di fuga massima continua (I_D), a velocità di commutazione è u rendiment termicu.
I seguenti sò i numeri di parte di l'applicazione di i MOSFET WINSOK in i regulatori elettronichi di velocità:
Numeru di parte | Cunfigurazione | Tipu | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchettu | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Max. | Min. | Tipu. | Max. | Tipu. | Max. | (pF) | ||||
Single | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
Single | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
Single | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
Single | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
Single | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 |
I numeri di materiale currispundenti sò i seguenti:
WINSOK WSD3050DN numeru di materiale currispundente: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4CNY08. TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.
WINSOK WSD30L40DN numeru materiale currispundenti: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 numeru di materiale currispundenti: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDRSTLL5 3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG, BSC016N03LSG, BSC014N03MSG, BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 currispundenti u numeru di materiale: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ54PoEM62PJQ540 X.
WINSOK WSD30150DN56 currispundenu numeru materiale: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Ottimisate u rendiment di u regulatore elettronicu di velocità:
Ottimizendu e cundizioni di u funziunamentu è u disignu di u circuitu di u MOSFET, u rendimentu di u regulatore elettronicu di velocità pò esse più migliuratu. Questu include assicurà un raffreddamentu adattatu, selezziunà u circuitu di driver adattatu, è assicurendu chì l'altri cumpunenti in u circuitu ponu ancu risponde à i requisiti di prestazione.
Tempu di post: 26-oct-2023