WINSOK MOSFET hè usatu in regulatori elettronichi di velocità

Applicazione

WINSOK MOSFET hè usatu in regulatori elettronichi di velocità

In l'industria di l'elettronica è di l'automatizazione, l'applicazione diMOSFET(transistor à effettu di campu di l'ossidu di metallu-semiconductor) hè diventatu un fattore chjave per migliurà a prestazione di i regulatori elettronichi di velocità (ESR).Questu articulu hà da scopre cumu funziona i MOSFET è cumu ghjucanu un rolu vitale in u cuntrollu elettronicu di a velocità.

WINSOK MOSFET hè usatu in regulatori elettronichi di velocità

U principiu di funziunamentu di basa di MOSFET:

Un MOSFET hè un dispositivu semiconductor chì accende o spegne u flussu di corrente elettrica per u cuntrollu di tensione.In i regulatori elettronichi di velocità, i MOSFET sò usati cum'è elementi di cambiamentu per regulà u flussu di corrente à u mutore, chì permettenu un cuntrollu precisu di a velocità di u mutore.

 

Applicazioni di MOSFET in regulatori elettronichi di velocità:

Approfittendu di a so eccellente velocità di commutazione è di capacità di cuntrollu di corrente efficiente, i MOSFET sò largamente usati in i regulatori elettronici di velocità in circuiti PWM (Pulse Width Modulation).Questa applicazione assicura chì u mutore pò operà in modu stabile è efficiente in diverse cundizioni di carica.

 

Sceglie u MOSFET ghjustu:

Quandu cuncepisce un regulatore elettronicu di velocità, a scelta di u MOSFET ghjustu hè cruciale.I paràmetri da cunsiderà includenu a tensione massima di drain-source (V_DS), a massima corrente di fuga continua (I_D), a velocità di commutazione è u rendiment termicu.

I seguenti sò i numeri di parte di l'applicazione di i MOSFET WINSOK in i regulatori elettronichi di velocità:

Numeru di parte

Cunfigurazione

Tipu

VDS

ID (A)

VGS (th) (v)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Pacchettu

@10V

(V)

Max.

Min.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

(pF)

WSD3050DN

Single

N-Ch

30

50

1.5

1.8

2.5

6.7

8.5

1200

DFN3X3-8

WSD30L40DN

Single

P-Ch

-30

-40

-1.3

-1,8

-2.3

11

14

1380

DFN3X3-8

WSD30100DN56

Single

N-Ch

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350

DFN5X6-8

WSD30160DN56

Single

N-Ch

30

120

1.2

1.7

2.5

1.9

2.5

4900

DFN5X6-8

WSD30150DN56

Single

N-Ch

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

 

I numeri di materiale currispundenti sò i seguenti:

WINSOK WSD3050DN numeru di materiale currispundenti: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4DNHACNY08NTVS4939N HIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO-SEM PE5G6EA.

WINSOK WSD30L40DN numeru materiale currispundenti: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.

WINSOK WSD30100DN56 numeru di materiale currispundenti: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDRSTLH392DP,SDRSTLL36N52DN LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG, BSC016N03LSG, BSC014N03MSG, BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.

WINSOK WSD30160DN56 currispundenti u numeru di materiale: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ54Smicon Semiconductor PJQ542. .

WINSOK WSD30150DN56 currispundenti numaru di materiale: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.

 

Ottimisate u rendiment di u regulatore elettronicu di velocità:

Ottimizendu e cundizioni di u funziunamentu è u disignu di u circuitu di u MOSFET, a prestazione di u regulatore elettronicu di velocità pò esse più migliurata.Questu include assicurà un rinfrescante adattatu, selezziunate u circuitu di driver adattatu, è assicurendu chì l'altri cumpunenti in u circuitu ponu ancu risponde à i requisiti di prestazione.


Tempu di post: 26-oct-2023