A tecnulugia di carica rapida, cum'è una parte centrale di l'equipaggiu elettronicu mudernu, hè in rapida evoluzione è evoluzione.Impulsatu da u mercatu di ricarica rapida, l'industrii cum'è i telefoni intelligenti è i veiculi elettrici sò sempre più esigenti suluzioni di carica rapida è efficaci.L'innuvazione in a tecnulugia di carica rapida ùn hè micca solu focalizzata nantu à a migliurà a velocità di carica, ma ancu enfatiza a sicurità.Fighjendu à u futuru, a tecnulugia di carica rapida serà cumminata cù a carica wireless è a tecnulugia di bateria più efficaci per ottene un saltu di qualità è purtà à l'utilizatori una sperienza di carica più còmuda è ecologica.Cù u sviluppu di a tecnulugia è l'espansione di u mercatu, l'industria di carica rapida hè prevista per cuntinuà à mantene a crescita rapida.
Quandu si parla di l'applicazione diMOSFETin a tecnulugia di carica rapida, ci sò in realtà parechji mal di testa.
Prima di tuttu, perchè a carica rapida richiede una grande corrente, uMOSFETsi riscalda assai, è cumu si tratta di stu calore diventa un grande prublema.Dopu, ci sò ancu sfide di efficienza.Quandu cambia rapidamente, u MOSFET perde facilmente una parte di a so energia, chì affetta l'efficienza di carica.Inoltre, l'equipaggiu di carica rapida spera di esse u più chjucu pussibule, ma questu hè bisognu di u MOSFET per esse chjucu è ancu per trattà cù u prublema di calore.Perchè MOSFET cambia rapidamente, pò interferiscenu cù altri equipaghji elettronichi, chì hè ancu un prublema.Infine, l'ambiente di carica rapida hà esigenze elevate nantu à a tensione di resistenza è a corrente di i MOSFET, chì hè una prova per a so prestazione.U travagliu in questu ambiente per un bellu pezzu pò ancu influenzà a so vita di serviziu è affidabilità.In breve, anche se MOSFET hè criticu per a carica rapida, face parechje sfide.
WINSOKMOSFET pò esse capaci di aiutà vi risolve i prublemi sopra.I mudelli di applicazioni principali di WINSOK MOSFET in carica rapida sò:
| Numeru di parte | Cunfigurazione | Tipu | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchettu | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Tipu. | Max. | Tipu. | Max. | (pF) | ||||
| Single | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Single | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Single | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Single | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Altri numeri di materiale di marca chì currispondenu à u MOSFET WINSOK sopra sò:
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSD3050DN sò: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939PSNY8NTF4939PSN08NTF. -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSD30L40DN sò: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12503.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP6020 sò: AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor-PDS56.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP16N10 sò: AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP4435 sò: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4803A, AO4803A, AO4803A, AO44048073, AO44419. ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelettronica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DINTEK ELECTRONICS DTM4435.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP4407 sò: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10PLSLLS3P36,SLTSLLSPL366 H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSP4606 sò: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958AO4620,AO4924,AO4627. 01CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
I numeri di materiale currispundenti di WINSOK MOSFET WSR80N10 sò: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G.NIP0.P. BA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Tempu di Postu: 28-Nov-2023
