FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFET di media è bassa putenza
Panoramica di u produttu MOSFET
ON FDC634P a tensione BVDSS hè -20V, l'ID attuale hè -3.5A, a resistenza interna RDSON hè 80mΩ
VISHAY Si3443DDV tensione BVDSS hè -20V, ID attuale hè -4A, resistenza interna RDSON hè 90mΩ
A tensione BVDSS di NXP PMDT670UPE hè -20V, l'ID attuale hè 0.55A, a resistenza interna RDSON hè 850mΩ
numeru materiale currispundente
A tensione BVDSS di WINSOK WST2011 FET hè -20V, l'ID attuale hè -3.2A, a resistenza interna RDSON hè 80mΩ, Dual P-channel, è u pacchettu hè SOT-23-6L.
Campi d'applicazione MOSFET
E-cigarette MOSFET, controller MOSFET, pruduttu digitale MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
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