NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET a canale N DFN5X6-8
Panoramica di u produttu MOSFET
Onsemi NTMFS6B14N
VISHAY SiR84DP SiR87ADP
INFINEON IR BSC19N1NS3G
TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH
numeru materiale currispundente
A tensione BVDSS di WINSOK WSD60N10GDN56 FET hè 100V, u currente hè 60A, a resistenza hè 8.5mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Campi d'applicazione MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
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