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MOSFET POTENS Semiconductor PMC4998X à canali N DFN5X6-8

prudutti

MOSFET POTENS Semiconductor PMC4998X à canali N DFN5X6-8

POTENS Semiconductor PMC4998X N-channel DFN5X6-8 MOSFET Immagine presentata
  • MOSFET POTENS Semiconductor PMC4998X à canali N DFN5X6-8

breve descrizzione:

Numero di parte:PMC4998X

Canale:Canale N

Paquet:DFN5X6-8


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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu MOSFET

POTENS Semiconductor PMC4998X

numeru materiale currispundente

A tensione BVDSS di WINSOK WSD40190DN56G FET hè 40V, u currente hè 190A, a resistenza hè 1.25mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Campi d'applicazione MOSFET

E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.

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