WSD100N15DN56G N-channel 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Numero di parte:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6 mΩ

Canale:Canale N

Paquet:DFN5X6-8

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Detail di u produttu

A tensione di WSD100N15DN56G MOSFET hè 150V, u currente hè 100A, a resistenza hè 6mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Forniture di energia medicale MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, sigarette elettroniche MOSFET, grandi apparecchi MOSFET, è arnesi MOSFET.

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	150	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 20	V
ID	Corrente di Drain Continuu, V_GS@ 10 V (T_C= 25 ℃)	100	A
IDM	Corrente di Drain Pulse	360	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	400	mJ
P_D	Dissipazione di putenza tutale..._C= 25 ℃)	160	W
RθJA	Resistenza termica, junction-ambient	62	℃/W
RθJC	Resistenza termica, junction-case	0,78	℃/W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 175	℃
T_J	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 175	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS= 0V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance²	V_GS= 10 V, I_D= 20 A	---	9	12	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	V_GS=V_DS, I_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 100 V, V_GS= 0V, T_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	V_GS=±20V, V_DS= 0 V	---	---	± 100	nA
Q_g	Carica Totale di a Porta	V_DS= 50 V, V_GS= 10 V, I_D= 20 A	---	66	---	nC
Q_gs	Porta-Source Charge		---	26	---
Q_gd	Porta-Drain Charge		---	18	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	V_DD= 50 V,V_GS= 10 V R_G= 2 Ω, I_D= 20 A	---	37	---	ns
T_r	Rise Time		---	98	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	55	---
T_f	Tempu di caduta		---	20	---
C_iss	Capacità di input	V_DS= 30 V, V_GS= 0 V , f = 1 MHz	---	5450	---	pF
Coss	Capacità di output		---	1730	---
C_rss	Capacità di trasferimentu inversa		---	195	---