WSD20100DN56 N-channel 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD20100DN56 MOSFET hè 20V, u currente hè 90A, a resistenza hè 1.6mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Sigarette elettroniche MOSFET, drones MOSFET, strumenti elettrici MOSFET, fascia pistole MOSFET, PD MOSFET, picculi apparecchi MOSFET.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 20 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corrente di Drain Continuu1 | 48 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse2 | 270 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale4 | 83 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza Termale Junction-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Resistenza Termale Junction-ambient1(State stable) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Casu di giunzione di resistenza termica1 | 1.5 | ℃/W |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min | Tipu | Max | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS = 2,5 V, ID = 20 A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ± 10 | uA |
| Rg | Resistenza di porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID = 20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 501 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 321 | --- | ||
| IS | Cuntinuu Source Current1,5 | VG=VD= 0V , Forza Corrente | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tensione in avanti diode2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Tempu di ricuperazione inversa | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ= 25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Carica di ricuperazione inversa | --- | 72 | --- | nC |
