WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD25280DN56G MOSFET hè 25V, u currente hè 280A, a resistenza hè 0.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Sincronu di puntu di carica à alta frequenza、Convertitore Buck、Sistema di rete DC-DC Power、Applicazione di Strumenta Power,E-cigarettes MOSFET, MOSFET di ricarica wireless, droni MOSFET, MOSFET di cure mediche, caricatori MOSFET di vittura, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET d'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 25 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente di Drain Continuu（Silicon Limited）1,7 | 280 | A |
| ID@TC= 70℃ | Corrente di Drain Continuu (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse2 | 600 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 1200 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 100 | A |
| PD@TC= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale4 | 83 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS= 10 V, ID= 20 A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 20 A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 20 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 20 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (4.5V) | VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID= 20 A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 24 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID= 10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 55 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 15 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 650 | --- |
