WSD30140DN56 N-channel 30V 85A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

ID:85A

Canale:Canale N

Pacchettu:DFN5 * 6-8

Pruduttu Summery:A tensione di WSD30140DN56 MOSFET hè 30V, u currente hè 85A, a resistenza hè 1.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5 * 6-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricatori wireless, droni, cure mediche, caricatori di vitture, cuntrolli, prudutti digitali, picculi apparecchi, elettronica di cunsumu, etc.

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Descrizzione generale

U WSD30140DN56 hè u MOSFET di canale N di trinchera di più altu rendimentu cù una densità di cellule assai alta chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di cunvertitore buck sincrone.WSD30140DN56 hè conforme à i requisiti di RoHS è di u produttu verde, garanzia 100% EAS, affidabilità di funzione cumpleta appruvata.

Features

Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, carica di porta ultra-bassa, eccellente attenuazione di l'effettu CdV / dt, guaranzia 100% EAS, dispusitivi verdi dispunibili

Applicazioni

Sincronizazione di u puntu di carica à alta frequenza, cunvertitori buck, sistemi di alimentazione DC-DC in rete, applicazioni di strumenti elettrici, sigarette elettroniche, ricarica wireless, droni, cure mediche, carica di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi, elettronica di cunsumazione.

numeru materiale currispundente

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.ON NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 20	V
ID@TC=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Corrente di Drain Pulse 2	300	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di putenza tutale 4	50	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 4,5 V, ID = 15 A		2.5	3.3	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Carica Totale di a Porta (4.5V)	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	9.5	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	11.4	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Rise Time		---	6	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	38.5	---
Tf	Tempu di caduta		---	10	---
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Capacità di output		---	1280	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	160	---