WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD30160DN56 MOSFET hè 30V, u currente hè 120A, a resistenza hè 1.9mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 30 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse2 | 300 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 128 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 50 | A |
| PD@TC= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale4 | 62.5 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS= 10 V, ID= 20 A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 24 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 24 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (4.5V) | VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID= 20 A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 23 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 15 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 530 | --- |
