WSD3023DN56 N-Ch è P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14 mΩ/23 mΩ

ID:14A/-12A

Canale:N-Ch è P-Channel

Pacchettu:DFN5 * 6-8

Pruduttu Summery:A tensione di WSD3023DN56 MOSFET hè 30V / -30V, u currente hè 14A / -12A, a resistenza hè 14mΩ / 23mΩ, u canale hè N-Ch è P-Channel, è u pacchettu hè DFN5 * 6-8.

Applicazioni:Drones, mutori, elettronica di l'automobile, grandi apparecchi.

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Detail di u produttu

Applicazione

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Descrizzione generale

U WSD3023DN56 hè u MOSFET di trinchera N-ch è P-ch di più altu rendimentu cù una densità di cellula estremamente alta, chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincronu.U WSD3023DN56 risponde à i requisiti RoHS è Green Product 100% EAS garantitu cù affidabilità cumpleta di funzioni appruvata.

Features

Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt, 100% EAS Guarantitu, Dispositivu verde dispunibule.

Applicazioni

Convertitore Buck Sincronu à Puntu di Carica à Alta Frequenza per MB / NB / UMPC / VGA, Sistema di Rete DC-DC, Inverter di retroilluminazione CCFL, Droni, mutori, elettronica di l'automobile, apparecchi maiò.

numeru materiale currispundente

PANJIT PJQ5606

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione		Unità
Simbulu	Parametru	N-Ch	P-Ch	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	30	-30	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 20	± 20	V
ID	Corrente di Drain Continuu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 25 ℃	14*	-12	A
ID	Corrente di Drain Continuu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 70 ℃	7.6	-9,7	A
IDP a	Corrente di Drain Pulse Testata, VGS (NP) = 10V	48	-48	A
EAS c	Avalanche Energy, Single Pulse, L=0.5mH	20	20	mJ
IAS c	Avalanche Current, Single Pulse, L=0.5mH	9	-9	A
PD	Dissipazione di putenza tutale, Ta = 25 ℃	5.25	5.25	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 175	- da 55 à 175	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	175	175	℃
RqJA b	Resistenza termica-Junction à l'ambienti, u statu stabile	60	60	℃/W
RqJC	Resistenza Termale-Giunzione à Casu,State Steady	6.25	6.25	℃/W

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON) d	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON) d	Static Drain-Source On-Resistance	VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	17	25	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Porta Resistenza	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Carica Totale di a Porta	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Porta-Source Charge		---	1.0	---
Qgde	Porta-Drain Charge		---	2.8	---
Td(on)e	Turn-On Delay Time	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Rise Time		---	8.6	---
Td(off)e	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	16	---
Tfe	Tempu di caduta		---	3.6	---
Cisse	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Capacità di output		---	95	---
Crsse	Capacità di trasferimentu inversa		---	55	---