WSD3023DN56 N-Ch è P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Descrizzione generale
U WSD3023DN56 hè u MOSFET di trinchera N-ch è P-ch di più altu rendimentu cù una densità di cellula estremamente alta, chì furnisce una eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincronu. U WSD3023DN56 risponde à i requisiti RoHS è Green Product 100% EAS garantitu cù una affidabilità cumpleta di funzioni appruvata.
Features
Tecnulugia avanzata di Trench di alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt, 100% EAS Guarantitu, Dispositivu verde dispunibule.
Applicazioni
Convertitore Buck Sincronu à Puntu di Carica à Alta Frequenza per MB / NB / UMPC / VGA, Sistema di Rete DC-DC, Inverter CCFL Back-light, Drones, muturi, elettronica di l'automobile, apparecchi maiò.
numeru materiale currispundente
PANJIT PJQ5606
Parametri impurtanti
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità | |
| N-Ch | P-Ch | |||
| VDS | Drain-Source Voltage | 30 | -30 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 20 | ± 20 | V |
| ID | Corrente di Drain Continuu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 25 ℃ | 14* | -12 | A |
| Corrente di Drain Continuu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 70 ℃ | 7.6 | -9,7 | A | |
| IDP a | Corrente di Drain Pulse Testata, VGS (NP) = 10V | 48 | -48 | A |
| EAS c | Avalanche Energy, Single Pulse, L=0.5mH | 20 | 20 | mJ |
| IAS c | Avalanche Current, Single Pulse, L=0.5mH | 9 | -9 | A |
| PD | Dissipazione di putenza tutale, Ta = 25 ℃ | 5.25 | 5.25 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 175 | - da 55 à 175 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | 175 | 175 | ℃ |
| RqJA b | Resistenza termica-Gunzione à l'ambienti, u statu stabile | 60 | 60 | ℃/W |
| RqJC | Resistenza Termale-Giunzione à Casu,State Steady | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| RDS(ON) d | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 17 | 25 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Rg | Resistenza di porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
| Qge | Carica Totale di a Porta | VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
| Qgse | Porta-Source Charge | --- | 1.0 | --- | ||
| Qgde | Porta-Drain Charge | --- | 2.8 | --- | ||
| Td(on)e | Turn-On Delay Time | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
| Tre | Rise Time | --- | 8.6 | --- | ||
| Td(off)e | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 16 | --- | ||
| Tfe | Tempu di caduta | --- | 3.6 | --- | ||
| Cisse | Capacità di input | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
| Cosse | Capacità di output | --- | 95 | --- | ||
| Crsse | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 55 | --- |
