WSD30L120ADN56 WSD30L120DN56 P-channel -30V -120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSD30L120ADN56 WSD30L120DN56 P-channel -30V -120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD30L120ADN56 WSD30L120DN56

BVDSS:-30V

ID:-120A

RDSON:3,8 mΩ

Canale:Canale P

Paquet:DFN5X6-8


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD30L120ADN56 WSD30L120DN56 MOSFET hè -30V, u currente hè -120A, a resistenza hè 3.8mΩ, u canale hè P-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

E-cigarette MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical MOSFET, caricatore di vittura MOSFET, controller MOSFET, MOSFET di produttu digitale, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

PANJIT MOSFET PJQ5427.

Potens MOSFET PDC3901X.

paràmetri MOSFET

Numeru di parte

Cunfigurazione

Tipu

VDS

VGS

ID (A)

RDS(ON)(mΩ)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Pacchettu

@10V

@6V

@4.5V

@2.5V

@1.8V

(V)

± (V)

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

(pF)

WSD30L120ADN56

Single

P-Ch

-30

20

-120

3.8

5

-

-

5.8

8.2

-

-

-

-

9400

DFN5X6-8

WSD30L120DN56

Single

P-Ch

-30

20

-120

2.9

3.6

-

-

5

6.8

-

-

-

-

6100

DFN5X6-8

 

 


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