WSD30L88DN56 Doppiu canale P -30V -49A DFN5 * 6-8 MOSFET WINSOK

prudutti

WSD30L88DN56 Doppiu canale P -30V -49A DFN5 * 6-8 MOSFET WINSOK

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WSD30L88DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:11,5 mΩ
  • ID:-49A
  • Canale:Doppiu canale P
  • Pacchettu:DFN5 * 6-8
  • Pruduttu d'estate:A tensione di WSD30L88DN56 MOSFET hè -30V, u currente hè -49A, a resistenza hè 11.5mΩ, u canale hè Dual P-channel, è u pacchettu hè DFN5 * 6-8.
  • Applicazioni:E-cigarettes, ricarica wireless, mutori, droni, cure mediche, caricatori di vitture, cuntrolli, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WSD30L88DN56 hè a trinchera di più altu rendimentu Dual P-Ch MOSFET cù una densità estrema di cellule elevate, chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di cunvertitore buck sincronu. U WSD30L88DN56 risponde à i requisiti RoHS è Green Product 100% EAS garantitu cù affidabilità cumpleta di funzione appruvata.

    Features

    Tecnulugia avanzata di Trench d'alta densità di cellule ,Carica Super Low Gate ,Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt ,100% EAS Guarantee ,Dispositivu verde dispunibule.

    Applicazioni

    Sincronu di Puntu di Carica à Alta Frequenza, Convertitore Buck per MB / NB / UMPC / VGA, Sistema di Rete DC-DC, Interruttore di Carica, E-cigarettes, ricarica wireless, mutori, droni, assistenza medica, caricatori di vittura, cuntrolli, digitale i prudutti, i picculi apparecchi, l'elettronica di cunsumu.

    numeru materiale currispundente

    AOS

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru Valutazione Unità
    VDS Drain-Source Voltage -30 V
    VGS Porta-Source Voltage ± 20 V
    ID@TC=25℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10V1 -49 A
    ID@TC=100℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10V1 -23 A
    IDM Corrente di Drain Pulse 2 -120 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 68 mJ
    PD@TC = 25 ℃ Dissipazione di putenza tutale 4 40 W
    TSTG Range di temperatura di almacenamiento - da 55 à 150
    TJ Gamma di Temperature di a Junction Operating - da 55 à 150

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