WSD40110DN56G N-channel 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD4080DN56 MOSFET hè 40V, u currente hè 85A, a resistenza hè 4.5mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Picculi apparecchi MOSFET, apparecchi portatili MOSFET, muturi MOSFET.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse2 | 100 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 110.5 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 47 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale4 | 52.1 | W |
| TSTG | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza Termale Junction-Ambient1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Resistenza Termale Junction-Case1 | 2.4 | ℃/W |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Carica Totale di a Porta (4.5V) | VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=15V, VGS=10V RG=3.3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 8.8 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 215 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 175 | --- | ||
| IS | Cuntinuu Source Current1,5 | VG=VD= 0V , Forza Corrente | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Tensione in avanti diode2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
