WSD40120DN56 N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD40120DN56 MOSFET hè 40V, u currente hè 120A, a resistenza hè 1.85mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH4844 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse2 | 400 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 240 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 31 | A |
| PD@TC= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale4 | 104 | W |
| TSTG | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 30 A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS = 4,5 V, ID= 20 A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 32 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 32 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 20 A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Porta Resistenza | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID= 10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | 12 | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 20 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 370 | --- |
