WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

prudutti

WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

ID:-18A

RDSON:26 mΩ 

Canale:Canale P

Paquet:DFN2X2-6L


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD4018DN22 MOSFET hè -40V, u currente hè -18A, a resistenza hè 26mΩ, u canale hè P-channel, è u pacchettu hè DFN2X2-6L.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

Tecnulugia avanzata di Trench di alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu Cdv / dt Dispositivu verde Disponibile, Equipamentu di ricunniscenza facciale MOSFET, MOSFET di sigaretta elettronica, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET di caricatore di vittura.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L

paràmetri MOSFET

Simbulu

Parametru

Valutazione

Unità

VDS

Drain-Source Voltage

-40

V

VGS

Porta-Source Voltage

± 20

V

ID@Tc= 25 ℃

Corrente di Drain Continuu, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc= 70 ℃

Corrente di Drain Continuu, VGS@ -10V1

-14.6

A

IDM

Corrente di Drain Pulsata 300 μS, VGS= -4,5 V2

54

A

PD@Tc= 25 ℃

Dissipazione di putenza tutale3

19

W

TSTG

Range di temperatura di almacenamiento

- da 55 à 150

TJ

Gamma di Temperature di a Junction Operating

- da 55 à 150

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)

Simbulu

Parametru

Cundizioni

Min.

Tipu.

Max.

Unità

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= -250 uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coefficient di temperatura BVDSS Riferimentu à 25 ℃, ID= -1 mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS (ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=-10V, ID= -8,0 A

---

26

34

VGS=-4,5 V, ID= -6,0 A

---

31

42

VGS (th)

Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID= -250 uA

-1,0

-1,5

-3,0

V

△ VGS (th)

VGS (th)Coefficient di temperatura

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=-40 V, VGS= 0V, TJ= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-40 V, VGS= 0V, TJ= 55 ℃

---

---

-5

IGSS

Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

± 100

nA

Qg

Carica Totale di Porta (-4.5V) VDS=-20 V, VGS=-10V, ID= -1,5 A

---

27

---

nC

Qgs

Porta-Source Charge

---

2.5

---

Qgd

Porta-Drain Charge

---

6.7

---

Td (on)

Turn-On Delay Time VDD=-20 V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Rise Time

---

11

---

Td (off)

Tempu di ritardu di spegnimentu

---

54

---

Tf

Tempu di caduta

---

7.1

---

Ciss

Capacità di input VDS=-20 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz

---

1560

---

pF

Coss

Capacità di output

---

116

---

Crss

Capacità di trasferimentu inversa

---

97

---


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