WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD4018DN22 MOSFET hè -40V, u currente hè -18A, a resistenza hè 26mΩ, u canale hè P-channel, è u pacchettu hè DFN2X2-6L.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Tecnulugia avanzata di Trench di alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu Cdv / dt Dispositivu verde Disponibile, Equipamentu di ricunniscenza facciale MOSFET, MOSFET di sigaretta elettronica, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET di caricatore di vittura.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L
paràmetri MOSFET
Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
VDS | Drain-Source Voltage | -40 | V |
VGS | Porta-Source Voltage | ± 20 | V |
ID@Tc= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ -10V1 | -18 | A |
ID@Tc= 70 ℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
IDM | Corrente di Drain Pulsata 300 μS, VGS= -4,5 V2 | 54 | A |
PD@Tc= 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale3 | 19 | W |
TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)
Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= -250 uA | -40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coefficient di temperatura BVDSS | Riferimentu à 25 ℃, ID= -1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V, ID= -8,0 A | --- | 26 | 34 | mΩ |
VGS=-4,5 V, ID= -6,0 A | --- | 31 | 42 | |||
VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= -250 uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
△ VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-40 V, VGS= 0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-40 V, VGS= 0V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
Qg | Carica Totale di Porta (-4.5V) | VDS=-20 V, VGS=-10V, ID= -1,5 A | --- | 27 | --- | nC |
Qgs | Porta-Source Charge | --- | 2.5 | --- | ||
Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 6.7 | --- | ||
Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=-20 V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
Tr | Rise Time | --- | 11 | --- | ||
Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 54 | --- | ||
Tf | Tempu di caduta | --- | 7.1 | --- | ||
Ciss | Capacità di input | VDS=-20 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1560 | --- | pF |
Coss | Capacità di output | --- | 116 | --- | ||
Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 97 | --- |