WSD4080DN56 N-channel 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSD4080DN56 N-channel 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD4080DN56

BVDSS:40V

ID:85A

RDSON:4,5 mΩ 

Canale:N-canale

Paquet:DFN5X6-8


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD4080DN56 MOSFET hè 40V, u currente hè 85A, a resistenza hè 4.5mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

Picculi apparecchi MOSFET, apparecchi portatili MOSFET, muturi MOSFET.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

paràmetri MOSFET

Simbulu

Parametru

Valutazione

Unità

VDS

Drain-Source Voltage

40

V

VGS

Porta-Source voltage

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC= 100 ℃

Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Corrente di Drain Pulse2

100

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

110.5

mJ

IAS

Avalanche Current

47

A

PD@TC= 25 ℃

Dissipazione di putenza tutale4

52.1

W

TSTG

Range di temperatura di almacenamiento

- da 55 à 150

TJ

Gamma di Temperature di a Junction Operating

- da 55 à 150

RθJA

Resistenza Termale Junction-Ambient1

62

/W

RθJC

Resistenza Termale Junction-Case1

2.4

/W

 

Simbulu

Parametru

Cundizioni

Min.

Tipu.

Max.

Unità

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS (ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS = 4,5 V, ID = 5 A

---

6.4

8.5

VGS (th)

Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID=250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±20V, VDS=0V

---

---

± 100

nA

gfs

Transconductance in avanti VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Carica Totale di a Porta (4.5V) VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Porta-Source Charge

---

5.8

---

Qgd

Porta-Drain Charge

---

9.5

---

Td (on)

Turn-On Delay Time VDD=15V, VGS=10V RG=3.3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Rise Time

---

8.8

---

Td (off)

Tempu di ritardu di spegnimentu

---

74

---

Tf

Tempu di caduta

---

7

---

Ciss

Capacità di input VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Capacità di output

---

215

---

Crs

Capacità di trasferimentu inversa

---

175

---

IS

Cuntinuu Source Current1,5 VG=VD= 0V , Forza Corrente

---

---

70

A

VSD

Tensione in avanti diode2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1

V


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