WSD4098 Doppiu N-Channel 40V 22A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSD4098 Doppiu N-Channel 40V 22A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Questu hè un bancu di putenza wireless magneticu chì ricunnosce automaticamente i telefoni Apple è ùn hà micca bisognu di attivazione di buttone.Integra 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC protokolli d'input è output di carica rapida.Hè un pruduttu wireless power bank chì hè cumpatibile cù i cunvertitori sincroni di boost / step-down di telefuninu Apple / Samsung, gestione di carica di a batteria Li, indicazione di energia di tubu digitale, carica wireless magnetica è altre funzioni.


  • Numero di mudellu:WSD4098
  • BVDSS:40V
  • RDSON:7,8 mΩ
  • ID:22A
  • Canale:Dual N-Channel
  • Pacchettu:DFN5 * 6-8
  • Pruduttu Summery:A tensione di WSD4098 MOSFET hè 40V, u currente hè 22A, a resistenza hè 7.8mΩ, u canale hè Dual N-Channel, è u pacchettu hè DFN5 * 6-8.
  • Applicazioni:E-cigarettes, ricarica wireless, muturi, droni, cure mediche, caricatori di vittura, cuntrolli, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WSD4098DN56 hè a trinchera di più altu rendimentu Dual N-Ch MOSFET cù una densità di cellula estrema alta, chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincronu.U WSD4098DN56 risponde à i requisiti RoHS è Green Product 100% EAS garantitu cù affidabilità cumpleta di funzioni appruvata.

    Features

    Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt, 100% EAS Guarantitu, Dispositivu verde dispunibule

    Applicazioni

    Sincronu di Puntu di Carica à Alta Frequenza, Convertitore Buck per MB / NB / UMPC / VGA, Sistema di Rete DC-DC, Interruttore di Carica, E-cigarettes, ricarica wireless, muturi, droni, assistenza medica, caricatori di vittura, controller, digitale i prudutti, i picculi apparecchi, l'elettronica di cunsumu.

    numeru materiale currispundente

    AOS AON6884

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru   Valutazione Unità
    Valutazioni cumuni      
    VDSS Drain-Source Voltage   40 V
    VGSS Tensione Porta-Source   ± 20 V
    TJ Temperature Massima di Junction   150 °C
    TSTG Gamma di temperatura di almacenamiento   - da 55 à 150 °C
    IS Diode Continuous Forward Current TA = 25°C 11.4 A
    ID Corrente di Drain Continuu TA = 25°C 22 A
       
        TA=70°C 22  
    I DM b Corrente di Drain Pulse Tested TA = 25°C 88 A
    PD Dissipazione massima di putenza T. = 25 °C 25 W
    TC = 70 ° C 10
    RqJL Thermal Resistance-Junction to Lead Statu stazzu 5 °C/W
    RqJA Resistenza Thermal-Junction à Ambiente t £ 10s 45 °C/W
    Stato stazionario b 90
    I AS d Avalanche Current, Single Pulse L = 0,5 mH 28 A
    E AS d Avalanche Energy, Single Pulse L = 0,5 mH 39.2 mJ
    Simbulu Parametru Cundizioni di prova Min. Tipu. Max. Unità
    Caratteristiche statiche          
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Corrente di Drain di Tensione Zero Gate VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
             
          TJ=85°C - - 30  
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VDS=VGS, IDS=250mA 1.2 1.8 2.5 V
    IGSS Corrente di fuga di a porta VGS=±20V, VDS=0V - - ± 100 nA
    R DS(ON) e Drain-Source On-state Resistance VGS=10V, IDS=14A - 6.8 7.8 m W
    VGS = 4,5 V, IDS = 12 A - 9.0 11
    Caratteristiche di u diodu          
    V SD e Tensione in avanti diode ISD=1A, VGS=0V - 0,75 1.1 V
    trr Tempu di ricuperazione inversa ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs - 23 - ns
    Qrr Carica di ricuperazione inversa - 13 - nC
    Caratteristiche dinamiche f          
    RG Porta Resistenza VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz - 2.5 - W
    Ciss Capacità di input VGS = 0V,

    VDS = 20 V,

    Frequenza = 1,0 MHz

    - 1370 1781 pF
    Coss Capacità di output - 317 -
    Crs Capacità di trasferimentu inversa - 96 -
    td (ON) Tempu di ritardu di accensione VDD = 20 V,

    RL=20W, IDS=1A,

    VGEN=10V, RG=6W

    - 13.8 - ns
    tr Turn-on Rise Time - 8 -
    td (OFF) Tempu di ritardu di spegnimentu - 30 -
    tf Turn-off Time Fall - 21 -
    Caractéristiques de charge de porte f          
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A - 23 28 nC
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A - 22 -
    Qgth Threshold Gate Charge - 2.6 -
    Qgs Porta-Source Charge - 4.7 -
    Qgd Porta-Drain Charge - 3 -

  • Previous:
  • Next:

  • Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi