WSD4280DN22 Dual P-channel -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD4280DN22 MOSFET hè -15V, u currente hè -4.6A, a resistenza hè 47mΩ, u canale hè Dual P-channel, è u pacchettu hè DFN2X2-6L.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
interruttore di bloccu bidirezionale; Applicazioni di cunversione DC-DC; Carica di batteria Li; MOSFET di sigaretta elettronica, MOSFET di carica wireless, MOSFET di carica di vittura, MOSFET di cuntrollu, MOSFET di produttu digitale, MOSFET di picculi apparecchi domestici, MOSFET di elettronica di cunsumazione.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
PANJIT MOSFET PJQ2815
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | -15 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 8 | V |
| ID@Tc= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS= -4,5 V1 | -4,6 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulsata 300 μS, (VGS= -4,5 V) | -15 | A |
| PD | Riduzzione di dissipazione di putenza sopra TA = 25 °C (Nota 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Resistenza Termale Junction-ambient1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Resistenza Termale Junction-Case1 | 50 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= -250 uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient di temperatura BVDSS | Riferimentu à 25 ℃, ID= -1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4,5 V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8 V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= -250 uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △ VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-10 V, VGS= 0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10 V, VGS= 0V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±12V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Carica Totale di Porta (-4.5V) | VDS=-10 V, VGS=-4,5 V, ID= -4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 2.3 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=-10V,VGS=-4,5 V, RG= 1 Ω ID= -3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 16 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS=-10 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 96 | --- |
