WSD45N10GDN56 N-channel 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD45N10GDN56 MOSFET hè 100V, u currente hè 45A, a resistenza hè 14.5mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA= 25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA= 70℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Corrente di Drain Pulse | 130 | A |
| EASb | Single Pulse Avalanche Energy | 169 | mJ |
| IASb | Avalanche Current | 26 | A |
| PD@TC= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale | 95 | W |
| PD@TA= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale | 5.0 | W |
| TSTG | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient di temperatura BVDSS | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
| RDS (ON)d | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS= 10 V, ID= 26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Porta Resistenza | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Porta-Source Charge | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Porta-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td (on)e | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Rise Time | --- | 9 | 17 | ||
| Td (off)e | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Tempu di caduta | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Capacità di input | VDS= 30 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Capacità di output | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 42 | --- |
