WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 P-channel -100V -34A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 P-channel -100V -34A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56

BVDSS:-100V

ID:-34A

RDSON:32 mΩ

Canale:Canale P

Paquet:DFN5X6-8


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 MOSFET hè -100V, u currente hè -34A, a resistenza hè 32mΩ, u canale hè P-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

E-cigarette MOSFET, wireless charging MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, medical MOSFET, caricatore di vittura MOSFET, controller MOSFET, MOSFET di produttu digitale, MOSFET di picculi elettrodomestici, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

Sinopower MOSFET SM1A33PSKP.

VISHAY MOSFET Si7489DP.

paràmetri MOSFET

Numeru di parte

Cunfigurazione

Tipu

VDS

VGS

ID (A)

RDS(ON)(mΩ)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Pacchettu

@10V

@6V

@4.5V

@2.5V

@1.8V

(V)

± (V)

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

Tipu.

Max.

(pF)

WSD50P10DN56

Single

P-Ch

-100

20

-34

32

40

-

-

38

51

-

-

-

-

2480

DFN5X6-8

WSD50P10ADN56

Single

P-Ch

-100

20

-40

62

81

-

-

-

-

-

-

-

-

2590

DFN5X6-8

 

 


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