WSD6040DN56 N-channel 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD6040DN56 MOSFET hè 60V, u currente hè 36A, a resistenza hè 14mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità | ||
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | V | ||
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 20 | V | ||
| ID | Corrente di Drain Continuu | TC = 25 ° C | 36 | A | |
| TC = 100 ° C | 22 | ||||
| ID | Corrente di Drain Continuu | TA = 25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Corrente di Drain Pulse | TC = 25 ° C | 140 | A | |
| PD | Dissipazione massima di putenza | TC = 25 ° C | 37.8 | W | |
| TC = 100 ° C | 15.1 | ||||
| PD | Dissipazione massima di putenza | TA = 25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Avalanche Current, Single Pulse | L = 0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Single Pulse Avalanche Energy | L = 0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode Continuous Forward Current | TC = 25 ° C | 18 | A | |
| TJ | Temperature Massima di Junction | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Giunzione di resistenza termica à l'ambienti | Statu stazzu | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Thermal Resistance-Junction to Case | Statu stazzu | 3.3 | ℃/W | |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità | |
| Staticu | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente di Drain di Tensione Zero Gate | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ= 85 °C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente di fuga di a porta | VGS = ±20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
| Nantu à e caratteristiche | |||||||
| VGS (TH) | Tensione di soglia di porta | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (attivatu)d | Drain-Source On-state Resistance | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Cambia | |||||||
| Qg | Carica Totale di a Porta | VDS = 30 V VGS = 10V ID = 25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Carica Gate-Sour | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Porta-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (on) | Tempu di ritardu di attivazione | VGEN = 10V VDD = 30 V ID=1A RG=6Ω RL = 30 Ω | 17 | ns | |||
| tr | Turn-on Rise Time | 9 | ns | ||||
| td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | 58 | ns | ||||
| tf | Turn-off Time Fall | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat resistenza | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamica | |||||||
| Ciss | In Capacità | VGS = 0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Out Capacitance | 140 | pF | ||||
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | 100 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Features è Rating Massimu | |||||||
| IS | Cuntinuu Source Current | VG=VD=0V, Forza Corrente | 18 | A | |||
| ISM | Corrente di fonte pulsata 3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Tensione in avanti diode | ISD = 20 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempu di ricuperazione inversa | ISD= 25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Carica di ricuperazione inversa | 33 | nC | ||||
