WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Canale:N-canale

Paquet:DFN5X6-8

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD6060DN56 MOSFET hè 60V, u currente hè 65A, a resistenza hè 7.5mΩ, u canale hè N-canale, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

paràmetri MOSFET

Simbulu	Parametru		Valutazione	Unità
Valutazioni cumuni
VDSS	Drain-Source Voltage		60	V
VGSS	Porta-Source Voltage		± 20	V
T_J	Temperature Massima di Junction		150	°C
TSTG	Range di temperatura di almacenamiento		- da 55 à 150	°C
I_S	Diode Continuous Forward Current	T_c= 25 °C	30	A
ID	Corrente di Drain Continuu	T_c= 25 °C	65	A
ID	Corrente di Drain Continuu	T_c= 70 °C	42	A
I DM b	Corrente di Drain Pulse Tested	T_c= 25 °C	250	A
P_D	Dissipazione massima di putenza	T_c= 25 °C	62.5	W
P_D	Dissipazione massima di putenza	T_C= 70 °C	38	W
R_qJL	Thermal Resistance-Junction to Lead	Statu stazzu	2.1	°C/W
RqJA	Resistenza Thermal-Junction to Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistenza Thermal-Junction to Ambient	Statu stazzu^b	50	°C/W
I AS^d	Avalanche Current, Single Pulse	L = 0,5 mH	18	A
E AS d	Avalanche Energy, Single Pulse	L = 0,5 mH	81	mJ

Simbulu	Parametru	Cundizioni di prova		Min.	Tipu.	Max.	Unità
Caratteristiche statiche
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS= 0V, I_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Corrente di Drain di Tensione Zero Gate	V_DS= 48 V, V_GS= 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente di Drain di Tensione Zero Gate						mA
			T_J= 85 °C	-	-	30
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	V_DS=V_GS, I_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Corrente di fuga di a porta	V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	Drain-Source On-state Resistance	V_GS= 10 V, I_DS= 20 A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Drain-Source On-state Resistance	V_GS= 4,5 V, I_DS= 15 A		-	10	15	m W
Caratteristiche di u diodu
V SD	Tensione in avanti diode	I_SD= 1A, V_GS= 0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Tempu di ricuperazione inversa	I_SD= 20 A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Carica di ricuperazione inversa	I_SD= 20 A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Caratteristiche dinamiche^3,4
R_G	Resistenza di porta	V_GS= 0 V, V_DS= 0 V, F = 1 MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Capacità di input	V_GS= 0V, V_DS= 30 V, F = 1,0 MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Capacità di output			-	270	-
C_rss	Capacità di trasferimentu inversa			-	40	-
td (ON)	Tempu di ritardu di attivazione	VDD=30V, IDS=1A, VGEN = 10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Turn-on Rise Time			-	6	-
td (OFF)	Tempu di ritardu di spegnimentu			-	33	-
t_f	Turn-off Time Fall			-	30	-
Caractéristiques de charge de porte ^3,4
Q_g	Carica Totale di a Porta	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, I_DS= 20 A		-	13	-	nC
Q_g	Carica Totale di a Porta	V_DS= 30 V, V_GS= 10 V, I_DS= 20 A		-	27	-
Q_gth	Threshold Gate Charge			-	4.1	-
Q_gs	Porta-Source Charge			-	5	-
Q_gd	Porta-Drain Charge			-	4.2	-