WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD6070DN56 MOSFET hè 60V, u currente hè 80A, a resistenza hè 7.3mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| TJ | Temperature Massima di Junction | 150 | °C |
| ID | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | °C |
| IS | Diode Continuous Forward Current, TC= 25 °C | 80 | A |
| ID | Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 80 | A |
| Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 100 ° C | 66 | A | |
| IDM | Corrente di Drain Pulsata, TC= 25 °C | 300 | A |
| PD | Dissipazione massima di putenza, TC= 25 °C | 150 | W |
| Dissipazione massima di putenza, TC= 100 ° C | 75 | W | |
| RθJA | Resistenza Thermal-Junction to Ambient ,t = 10s ̀ | 50 | °C/W |
| Resistenza termica-Gunzione à l'ambienti, u statu stabile | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction to Case | 1 | °C/W |
| IAS | Avalanche Current, Single Pulse, L = 0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse, L = 0.5mH | 225 | mJ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 40 A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 20 A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 40 A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 30 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 160 | --- |
