WSD60N10GDN56 N-channel 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD60N10GDN56 MOSFET hè 100V, u currente hè 60A, a resistenza hè 8.5mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, muturi MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
Campi d'applicazione MOSFETWINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IRTOSSFET3.MOSFET3 PH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu | 60 | A |
| IDP | Corrente di Drain Pulse | 210 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse | 100 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale | 125 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
| Static Drain-Source On-Resistance | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS (ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 12.4 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 50 V, VGS= 10 V,RG= 2,2 Ω, ID= 25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 5 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 50 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Cuntinuu Source Current | VG=VD= 0V , Forza Corrente | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Pulsed Source Current | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Tensione in avanti diode | VGS= 0V, IS= 12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempu di ricuperazione inversa | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Carica di ricuperazione inversa | --- | 106.1 | --- | nC |
