WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD60N12GDN56 MOSFET hè 120V, u currente hè 70A, a resistenza hè 10mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Equipamentu medicale MOSFET, drones MOSFET, PD power supply MOSFET, LED power supply MOSFET, equipamentu industriale MOSFET.
Campi d'applicazione MOSFETWINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 120 | V |
| VGS | Tensione Porta-Source | ± 20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente di Drain Continuu | 70 | A |
| IDP | Corrente di Drain Pulse | 150 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse | 53.8 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale | 140 | W |
| TSTG | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 120 | --- | --- | V |
| Static Drain-Source On-Resistance | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS (ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 7.2 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 50 V, VGS= 10 V, RG= 2Ω, ID= 25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 50 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 11 | --- | ||
| IS | Cuntinuu Source Current | VG=VD= 0V , Forza Corrente | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Pulsed Source Current | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Tensione in avanti diode | VGS= 0V, IS= 12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempu di ricuperazione inversa | IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Carica di ricuperazione inversa | --- | 135 | --- | nC |
