WSD75100DN56 N-channel 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD75100DN56 MOSFET hè 75V, u currente hè 100A, a resistenza hè 5.3mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, cure mediche MOSFET, car charger MOSFET, controller MOSFET, prudutti digitali MOSFET, picculi apparecchi MOSFET, MOSFET di l'elettronica di cunsumu.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS Mosfet Aon6276, Aon6278, Aon628, Aon6282, Aon6448.Semi, fairchil muschi84n.stmcicroel8f7.infine, ir yoff, bsc36e12ns3g.ptens sempet pdc79 66x.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 75 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±25 | V |
| TJ | Temperature Massima di Junction | 150 | °C |
| ID | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | °C |
| IS | Diode Continuous Forward Current, TC= 25 °C | 50 | A |
| ID | Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 100 | A |
| Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 100 ° C | 73 | A | |
| IDM | Corrente di Drain Pulsata, TC= 25 °C | 400 | A |
| PD | Dissipazione massima di putenza, TC= 25 °C | 155 | W |
| Dissipazione massima di putenza, TC= 100 ° C | 62 | W | |
| RθJA | Resistenza Thermal-Junction to Ambient ,t = 10s ̀ | 20 | °C |
| Resistenza termica-Gunzione à l'ambienti, u statu stabile | 60 | °C | |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction to Case | 0,8 | °C |
| IAS | Avalanche Current, Single Pulse, L = 0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse, L = 0.5mH | 225 | mJ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 20 A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Porta Resistenza | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID= 40 A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 17 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 14 | 26 | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 20 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Capacità di output | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | 100 | 195 | 250 |
