WSD75N12GDN56 N-channel 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD75N12GDN56 MOSFET hè 120V, u currente hè 75A, a resistenza hè 6mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Equipamentu medicale MOSFET, droni MOSFET, PD power supply MOSFET, LED power supply MOSFET, equipamentu industriale MOSFET.
Campi d'applicazione MOSFETWINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDSS | Drain-to-Source Voltage | 120 | V |
| VGS | Tensione da a porta à a fonte | ± 20 | V |
| ID | 1 Corrente di Drain Continuu (Tc = 25 ℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corrente di Drain Continuu (Tc = 70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse | 320 | A |
| IAR | Corrente di valanga à impulsu unicu | 40 | A |
| EASa | Energia di avalanche di impulsu unicu | 240 | mJ |
| PD | Dissipazione di putenza | 125 | W |
| TJ, Tstg | Intervallu di temperatura di junction operativa è almacenamentu | - da 55 à 150 | ℃ |
| TL | Temperatura massima per a saldatura | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistenza termica, Junction-to-Case | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Resistenza termica, Junction-to-Ambient | 50 | ℃/W |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni di prova | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| VDSS | Drain to Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drain to Source Leakage Current | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Porta à a fonte Forward Leakage | VGS = + 20 V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Fuga inversa da a porta à a fonte | VGS = -20 V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS (TH) | Tensione di soglia di porta | VDS = VGS, ID = 250 µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Drain-to-Source On-Resistance | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transconductance in avanti | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Capacità di input | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Capacità di output | -- | 429 | -- | pF | |
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistenza di porta | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td (ON) | Tempu di ritardu di attivazione | ID = 20 A VDS = 50 V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Rise Time | -- | 11 | -- | ns | |
| td (OFF) | Tempu di ritardu di spegnimentu | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Tempu di caduta | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Carica Totale di a Porta | VGS = 0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Charge Source Gate | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Carica di Drain Gate | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Diode Forward Current | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Diode Pulse Current | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Tensione in avanti diode | IS = 6,0 A, VGS = 0 V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tempu di ricuperazione inversa | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Carica di ricuperazione inversa | -- | 250 | -- | nC |
