WSD80100DN56 N-channel 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD80100DN56 MOSFET hè 80V, u currente hè 100A, a resistenza hè 6.1mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, mutori MOSFET, MOSFET di l'elettronica automobilistica, MOSFET di l'apparecchi maiò.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 80 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| TJ | Temperature Massima di Junction | 150 | °C |
| ID | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | °C |
| ID | Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 100 | A |
| Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 100 ° C | 80 | A | |
| IDM | Corrente di Drain Pulsata, TC= 25 °C | 380 | A |
| PD | Dissipazione massima di putenza, TC= 25 °C | 200 | W |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction to Case | 0,8 | °C |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse, L = 0.5mH | 800 | mJ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 40 A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS= 5V, ID= 20 A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 30 A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 30 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGS= 10 V, RG= 2,5Ω, ID=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 19 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 25 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 315 | --- |
