WSD80120DN56 N-channel 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD80120DN56 MOSFET hè 85V, u currente hè 120A, a resistenza hè 3.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
MOSFET di tensione medica, equipamentu fotograficu MOSFET, droni MOSFET, MOSFET di cuntrollu industriale, MOSFET 5G, MOSFET di l'elettronica automobilistica.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 85 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±25 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse..TC= 25 °C | 384 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single Pulse, L = 0.5mH | 320 | mJ |
| IAS | Avalanche Current, Single Pulse, L = 0.5mH | 180 | A |
| PD@TC= 25℃ | Dissipazione di putenza tutale | 104 | W |
| PD@TC= 100℃ | Dissipazione di putenza tutale | 53 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 175 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | 175 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS= 10 V, ID= 50 A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 85 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 85 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±25V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Resistenza di porta | VDS= 0V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 11 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 50 V, VGS= 10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 18 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 40 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 180 | --- |
