WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET
A tensione di WSD80130DN56 MOSFET hè 80V, u currente hè 130A, a resistenza hè 2.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.
Zone d'applicazione WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, mutori MOSFET, MOSFET medicale, arnesi MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
paràmetri MOSFET
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità |
| VDS | Drain-Source Voltage | 80 | V |
| VGS | Porta-Source voltage | ±20 | V |
| TJ | Temperature Massima di Junction | 150 | °C |
| ID | Gamma di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | °C |
| ID | Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 130 | A |
| Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 70 °C | 89 | A | |
| IDM | Corrente di Drain Pulsata, TC= 25 °C | 400 | A |
| PD | Dissipazione massima di putenza, TC= 25 °C | 200 | W |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction to Case | 1.25 | °C |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS= 0V, ID= 250 uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient di temperatura | Riferimentu à 25℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 40 A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coefficient di temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Porta-Source Corrente di fuga | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carica Totale di a Porta (10V) | VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 30 A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 10.4 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD= 30 V, VGS= 10 V, RG= 2,5Ω, ID=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS= 25 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 20 | --- |
