WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di parte:WSD80130DN56

BVDSS:80V

ID:130A

RDSON:2,7 mΩ

Canale:Canale N

Paquet:DFN5X6-8


Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Panoramica di u produttu WINSOK MOSFET

A tensione di WSD80130DN56 MOSFET hè 80V, u currente hè 130A, a resistenza hè 2.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè DFN5X6-8.

Zone d'applicazione WINSOK MOSFET

Drones MOSFET, mutori MOSFET, MOSFET medicale, arnesi MOSFET, ESC MOSFET.

WINSOK MOSFET currisponde à altri numeri di materiale di marca

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

paràmetri MOSFET

Simbulu

Parametru

Valutazione

Unità

VDS

Drain-Source Voltage

80

V

VGS

Porta-Source voltage

±20

V

TJ

Temperature Massima di Junction

150

°C

ID

Gamma di temperatura di almacenamiento

- da 55 à 150

°C

ID

Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 25 °C

130

A

Corrente di Drain Continuu, VGS= 10 V, TC= 70 °C

89

A

IDM

Corrente di Drain Pulsata, TC= 25 °C

400

A

PD

Dissipazione massima di putenza, TC= 25 °C

200

W

RqJC

Thermal Resistance-Junction to Case

1.25

°C

       

 

Simbulu

Parametru

Cundizioni

Min.

Tipu.

Max.

Unità

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= 250 uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoefficient di temperatura Riferimentu à 25, ID= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID= 40 A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS (th)

Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (th)

VGS (th)Coefficient di temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 25

---

---

2

uA

VDS= 48 V, VGS= 0V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

Qg

Carica Totale di a Porta (10V) VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 30 A

---

48.6

---

nC

Qgs

Porta-Source Charge

---

17.5

---

Qgd

Porta-Drain Charge

---

10.4

---

Td (on)

Turn-On Delay Time VDD= 30 V, VGS= 10 V,

RG= 2,5Ω, ID=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Rise Time

---

10

---

Td (off)

Tempu di ritardu di spegnimentu

---

35

---

Tf

Tempu di caduta

---

12

---

Ciss

Capacità di input VDS= 25 V, VGS= 0 V , f = 1 MHz

---

4150

---

pF

Coss

Capacità di output

---

471

---

Crss

Capacità di trasferimentu inversa

---

20

---


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