WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Descrizzione generale
U MOSFET WSF6012 hè un dispositivu d'alta prestazione cù un disignu di alta densità di cellula. Fornisce un RDSON eccellente è una carica di porta adattata per a maiò parte di l'applicazioni di cunvertitore buck sincrone. Inoltre, risponde à i requisiti RoHS è Green Product, è vene cun 100% di garanzia EAS per a piena funziunalità è affidabilità.
Features
Tecnulugia di Trench Avanzata cù Alta Densità di Cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente Declinu di l'Effettu CdV / dt, Garanzia 100% EAS, è Opzioni di Dispositivi Ecologicu.
Applicazioni
Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, ricarica wireless, muturi, forniture di energia d'emergenza, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vittura, controller, apparecchi digitali, picculi apparecchi domestici, è l'elettronica di cunsumu.
numeru materiale currispundente
AOS AOD603A,
Parametri impurtanti
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità | |
| Canale N | Canale P | |||
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | -60 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 20 | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse 2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 59 | -50 | A |
| PD@TC = 25 ℃ | Dissipazione di putenza tutale 4 | 34.7 | 34.7 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient di temperatura BVDSS | Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS(th) Coefficient di temperatura | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (4.5V) | VDS=48V, VGS=4.5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 6.3 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=30V, VGS=4.5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 14.2 | --- | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 70 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 35 | --- |
