WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28 mΩ/75 mΩ

ID:20A/-15A

Canale:Canale N&P

Pacchettu:TO-252-4L

Pruduttu Summery:U MOSFET WSF6012 hà una gamma di tensione di 60V è -60V, pò trattà di currenti finu à 20A è -15A, hà una resistenza di 28mΩ è 75mΩ, presenta tramindui N&P-Channel, è hè imballatu in TO-252-4L.

Applicazioni:E-cigarettes, caricatori wireless, mutori, backup di energia, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vitture, cuntrolli, elettronica, apparecchi è beni di cunsumu.

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Detail di u produttu

Applicazione

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Descrizzione generale

U MOSFET WSF6012 hè un dispositivu d'alta prestazione cù un disignu di alta densità di cellula.Fornisce un RDSON eccellente è una carica di porta adattata per a maiò parte di l'applicazioni di cunvertitore buck sincrone.Inoltre, risponde à i requisiti RoHS è Green Product, è vene cun 100% di garanzia EAS per a piena funziunalità è affidabilità.

Features

Tecnulugia di Trench Avanzata cù Alta Densità di Cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente Declinu di l'Effettu CdV / dt, Garanzia 100% EAS, è Opzioni di Dispositivi Ecologicu.

Applicazioni

Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza, Sistema d'alimentazione DC-DC in rete, Switch di carica, sigarette elettroniche, ricarica wireless, muturi, forniture di energia d'emergenza, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vitture, controller, apparecchi digitali, picculi apparecchi domestici, è l'elettronica di cunsumu.

numeru materiale currispundente

AOS AOD603A,

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione		Unità
Simbulu	Parametru	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	60	-60	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 20	± 20	V
ID@TC=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Corrente di Drain Pulse 2	46	-36	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	200	180	mJ
IAS	Avalanche Current	59	-50	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di putenza tutale 4	34.7	34.7	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	37	45	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	1	---	2.5	V
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Porta Resistenza	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Carica Totale di a Porta (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	3.5	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	6.3	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=30V, VGS=4.5V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Rise Time		---	14.2	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	24.6	---
Tf	Tempu di caduta		---	4.6	---
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Capacità di output		---	70	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	35	---