WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSP4088

BVDSS:40V

RDSON:13 mΩ

ID:11A

Canale:Canale N

Pacchettu:SOP-8

Pruduttu Summery:A tensione di WSP4088 MOSFET hè 40V, u currente hè 11A, a resistenza hè 13mΩ, u canale hè N-canale, è u pacchettu hè SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, mutori, droni, medicale, carica di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Descrizzione generale

U WSP4088 hè u MOSFET di canale N di trinchera di più altu rendimentu cù una densità di cellule assai alta chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincrono.WSP4088 hè conforme à i requisiti di u produttu RoHS è verdi, 100% di garanzia EAS, affidabilità cumpleta di a funzione appruvata.

Features

Dispositivi affidabili è robusti, senza piombo è verdi dispunibuli

Applicazioni

Gestione di l'energia in Computer Desktop o Convertitori DC / DC, sigarette elettroniche, ricarica wireless, muturi, droni, medicale, carica di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.

numeru materiale currispundente

AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etc.

Parametri impurtanti

Valori massimi assoluti (TA = 25 C, salvo indicazione contraria)

Simbulu	Parametru		Valutazione	Unità
Valutazioni cumuni
VDSS	Drain-Source Voltage		40	V
VGSS	Tensione Porta-Source		± 20	V
TJ	Temperature Massima di Junction		150	°C
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento		- da 55 à 150	°C
IS	Diode Continuous Forward Current	TA = 25°C	2	A
ID	Corrente di Drain Continuu	TA = 25°C	11	A
ID	Corrente di Drain Continuu	TA=70°C	8.4
IDM a	Corrente di Drain Pulse	TA = 25°C	30
PD	Dissipazione massima di putenza	TA = 25°C	2.08	W
PD	Dissipazione massima di putenza	TA=70°C	1.3	W
RqJA	Resistenza Thermal-Junction à Ambiente	t £ 10s	30	°C/W
RqJA	Resistenza Thermal-Junction à Ambiente	Statu stazzu	60
RqJL	Thermal Resistance-Junction to Lead	Statu stazzu	20
IAS b	Avalanche Current, Single Pulse	L = 0,1 mH	23	A
EAS b	Avalanche Energy, Single Pulse	L = 0,1 mH	26	mJ

Nota a:Max.a corrente hè limitata da u filu di ligame.
Nota b:UIS pruvatu è a larghezza di l'impulsu limitata da a temperatura massima di junction 150oC (temperatura iniziale Tj=25oC).

Caractéristiques électriques (TA = 25 C à moins qu'il ne soit précisé autrement)

Simbulu	Parametru	Cundizioni di prova		Min.	Tipu.	Max.	Unità
Caratteristiche statiche
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Corrente di Drain di Tensione Zero Gate	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente di Drain di Tensione Zero Gate		TJ=85°C	-	-	30	mA
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Corrente di fuga di a porta	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
RDS(ON) c	Drain-Source On-state Resistance	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ = 125 ° C	-	15.75	-
		VGS = 4,5 V, IDS = 5 A		-	12	16
Gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Caratteristiche di u diodu
VSD c	Tensione in avanti diode	ISD=10A, VGS=0V		-	0,9	1.1	V
trr	Tempu di ricuperazione inversa	VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Tempu di carica			-	9.4	-
tb	Tempu di scaricamentu			-	5.8	-
Qrr	Carica di ricuperazione inversa			-	9.5	-	nC
Caratteristiche dinamiche d
RG	Porta Resistenza	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0,7	1.1	1.8	W
Ciss	Capacità di input	VGS=0V,VDS=20V,Frequency=1.0MHz		-	1125	-	pF
Coss	Capacità di output			-	132	-
Crs	Capacità di trasferimentu inversa			-	70	-
td (ON)	Tempu di ritardu di accensione	VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	Turn-on Rise Time			-	10	-
td (OFF)	Tempu di ritardu di spegnimentu			-	23.6	-
tf	Turn-off Time Fall			-	6	-
Caractéristiques de charge de porte d
Qg	Carica Totale di a Porta	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	Carica Totale di a Porta	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgth	Threshold Gate Charge			-	2	-
Qgs	Porta-Source Charge			-	3.9	-
Qgd	Porta-Drain Charge			-	3	-