WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WSP4088
  • BVDSS:40V
  • RDSON:13 mΩ
  • ID:11A
  • Canale:N-canale
  • Pacchettu:SOP-8
  • Pruduttu d'estate:A tensione di WSP4088 MOSFET hè 40V, u currente hè 11A, a resistenza hè 13mΩ, u canale hè N-canale, è u pacchettu hè SOP-8.
  • Applicazioni:Sigarette elettroniche, ricarica wireless, mutori, droni, medicale, carica di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WSP4088 hè u MOSFET di canale N di trinchera di più altu rendimentu cù una densità di cellule assai alta chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincrono. WSP4088 hè conforme à i requisiti di u produttu RoHS è verdi, 100% di garanzia EAS, affidabilità cumpleta di a funzione appruvata.

    Features

    Dispositivi affidabili è robusti, senza piombo è verdi dispunibuli

    Applicazioni

    Gestione di l'energia in Computer Desktop o Convertitori DC / DC, sigarette elettroniche, ricarica wireless, muturi, droni, medicale, carica di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.

    numeru materiale currispundente

    AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etc.

    Parametri impurtanti

    Valori massimi assoluti (TA = 25 C, salvo indicazione contraria)

    Simbulu Parametru   Valutazione Unità
    Valutazioni cumuni    
    VDSS Drain-Source Voltage   40 V
    VGSS Porta-Source Voltage   ± 20
    TJ Temperature Massima di Junction   150 °C
    TSTG Range di temperatura di almacenamiento   - da 55 à 150
    IS Diode Continuous Forward Current TA = 25°C 2 A
    ID Corrente di Drain Continuu TA = 25°C 11 A
    TA=70°C 8.4
    IDM a Corrente di Drain Pulse TA = 25°C 30
    PD Dissipazione massima di putenza TA = 25°C 2.08 W
    TA=70°C 1.3
    RqJA Resistenza Thermal-Junction to Ambient t £ 10s 30 °C/W
    Statu stazzu 60
    RqJL Thermal Resistance-Junction to Lead Statu stazzu 20
    IAS b Avalanche Current, Single Pulse L = 0,1 mH 23 A
    EAS b Avalanche Energy, Single Pulse L = 0,1 mH 26 mJ

    Nota a:Max. a corrente hè limitata da u filu di ligame.
    Nota b:UIS pruvatu è a larghezza di l'impulsu limitata da a temperatura massima di junction 150oC (temperatura iniziale Tj=25oC).

    Caractéristiques électriques (TA = 25 C à moins qu'il ne soit précisé autrement)

    Simbulu Parametru Cundizioni di prova Min. Tipu. Max. Unità
    Caratteristiche statiche
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Corrente di Drain di Tensione Zero Gate VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VDS=VGS, IDS=250mA 1.5 1.8 2.5 V
    IGSS Corrente di fuga di a porta VGS=±20V, VDS=0V - - ± 100 nA
    RDS(ON) c Drain-Source On-state Resistance VGS=10V, IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ = 125 ° C - 15.75 -
    VGS = 4,5 V, IDS = 5 A - 12 16
    Gfs Transconductance in avanti VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Caratteristiche di u diodu
    VSD c Tensione in avanti diode ISD=10A, VGS=0V - 0,9 1.1 V
    trr Tempu di ricuperazione inversa VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta Tempu di carica - 9.4 -
    tb Tempu di scaricamentu - 5.8 -
    Qrr Carica di ricuperazione inversa - 9.5 - nC
    Caratteristiche dinamiche d
    RG Resistenza di porta VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0,7 1.1 1.8 W
    Ciss Capacità di input VGS=0V,VDS=20V,Frequency=1.0MHz - 1125 - pF
    Coss Capacità di output - 132 -
    Crs Capacità di trasferimentu inversa - 70 -
    td (ON) Tempu di ritardu di attivazione VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Turn-on Rise Time - 10 -
    td (OFF) Tempu di ritardu di spegnimentu - 23.6 -
    tf Turn-off Time Fall - 6 -
    Caractéristiques de charge de porte d
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Threshold Gate Charge - 2 -
    Qgs Porta-Source Charge - 3.9 -
    Qgd Porta-Drain Charge - 3 -

    Nota c:
    prova di u pulsu; larghezza di impulsu £ 300 ms, duty cycle £ 2%.


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