WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13 mΩ

ID:-11A

Canale:Canale P

Pacchettu:SOP-8

Pruduttu Summery:A tensione di WSP4447 MOSFET hè -40V, u currente hè -11A, a resistenza hè 13mΩ, u canale hè P-Channel, è u pacchettu hè SOP-8.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricatori senza fili, mutori, droni, dispositi medichi, caricatori auto, cuntrolli, prudutti digitali, picculi apparecchi è elettronica di cunsumu.

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Detail di u produttu

Applicazione

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Descrizzione generale

U WSP4447 hè un MOSFET di punta chì utilizeghja a tecnulugia di trinchera è hà una alta densità di cellula.Offre un eccellente RDSON è carica di porta, facendu adattatu per l'usu in a maiò parte di l'applicazioni di cunvertitore buck sincrone.U WSP4447 risponde à i standard RoHS è Green Product, è vene cun 100% di garanzia EAS per una piena affidabilità.

Features

A tecnulugia avanzata di Trench permette una densità di cellula più alta, risultatu in un Dispositivu Verde cù Carica Super Low Gate è un eccellente declinu di l'effettu CdV / dt.

Applicazioni

Convertitore d'Alta Frequenza per una Varietà di Elettronica
Stu cunvertitore hè pensatu per alimentà in modu efficiente una larga gamma di dispusitivi, cumprese laptop, console di ghjocu, equipamentu di rete, sigarette elettroniche, caricatori wireless, mutori, droni, dispositi medichi, caricatori di vittura, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici è cunsumatori. l'elettronica.

numeru materiale currispundente

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	-40	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 20	V
ID@TA=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM a	Corrente di Drain Pulsata 300 µs (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Energia Avalanche, Impulsu unicu (L = 0,1 mH)	54	mJ
IAS b	Corrente di avalanche, impulsu unicu (L = 0,1 mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di putenza tutale 4	2.0	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = -1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS = -4,5 V, ID = -5 A	---	18	26
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=-250uA	-1.4	-1,9	-2.4	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Carica Totale di Porta (-4.5V)	VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	5.2	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	8	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Rise Time		---	12	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	41	---
Tf	Tempu di caduta		---	22	---
Ciss	Capacità di input	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Capacità di output		---	235	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	180	---