WSP4888 Doppiu N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

prudutti

WSP4888 Doppiu N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9.8A
  • Canale:Dual N-Channel
  • Pacchettu:SOP-8
  • Pruduttu Summery:A tensione di WSP4888 MOSFET hè 30V, u currente hè 9.8A, a resistenza hè 13.5mΩ, u canale hè Dual N-Channel, è u pacchettu hè SOP-8.
  • Applicazioni:E-cigarettes, caricatori wireless, mutori, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vitture, cuntrolli, dispositi digitali, picculi apparecchi è elettronica per i cunsumatori.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WSP4888 hè un transistor d'altu rendimentu cù una struttura di cellula densa, ideale per l'usu in cunvertitori buck sincroni.Si vanta eccellenti RDSON è carichi di cancellu, facendu una scelta maiò per queste applicazioni.Inoltre, u WSP4888 risponde à i requisiti RoHS è Green Product è vene cun una guaranzia 100% EAS per una funzione affidabile.

    Features

    A Tecnulugia avanzata di Trench presenta una alta densità di cellule è una carica di porta super bassa, riducendu significativamente l'effettu CdV / dt.I nostri dispositi venenu cù una guaranzia 100% EAS è opzioni ecologiche.

    I nostri MOSFET sò sottumessi à strette misure di cuntrollu di qualità per assicurà chì rispondenu à i più alti standard di l'industria.Ogni unità hè testata accuratamente per prestazioni, durabilità è affidabilità, assicurendu una longa vita di u produttu.U so disignu robustu li permette di resiste à e cundizioni di travagliu estreme, assicurendu a funziunalità ininterrotta di l'equipaggiu.

    Prezzi cumpetitivi: Malgradu a so qualità superiore, i nostri MOSFET sò assai prezzu competitivi, furnisce un risparmiu di costu significativu senza compromette u rendiment.Cridemu chì tutti i cunsumatori duveranu avè accessu à prudutti d'alta qualità, è a nostra strategia di prezzu riflette stu impegnu.

    Ampia cumpatibilità: I nostri MOSFET sò cumpatibili cù una varietà di sistemi elettronichi, facendu una scelta versatile per i fabricatori è l'utilizatori finali.Si integra perfettamente in i sistemi esistenti, rinfurzendu u rendiment generale senza avè bisognu di mudificazioni maiò di disignu.

    Applicazioni

    Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza per l'usu in sistemi MB/NB/UMPC/VGA, Sistemi d'alimentazione DC-DC in rete, Interruttori di carica, sigarette elettroniche, Caricatori wireless, Motori, Drones, Equipaggiamento medico, Caricabatterie per auto, Controller , Prudutti Digitali, Picculi Apparizioni Domestiche, è Elettronica di Cunsumu.

    numeru materiale currispundente

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru Valutazione Unità
    VDS Drain-Source Voltage 30 V
    VGS Tensione Porta-Source ± 20 V
    ID@TC=25℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Corrente di Drain Pulse 2 45 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ
    IAS Avalanche Current 12 A
    PD@TA=25℃ Dissipazione di putenza tutale 4 2.0 W
    TSTG Gamma di temperatura di almacenamiento - da 55 à 150
    TJ Gamma di Temperature di a Junction Operating - da 55 à 150
    Simbulu Parametru Cundizioni Min. Tipu. Max. Unità
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficient di temperatura BVDSS Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS (ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS = 10 V, ID = 8,5 A --- 13.5 18
           
        VGS = 4,5 V, ID = 5 A --- 18 25  
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS (th) VGS(th) Coefficient di temperatura   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Transconductance in avanti VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Porta Resistenza VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Carica Totale di a Porta (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Porta-Source Charge --- 1.5 ---
    Qgd Porta-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td (on) Turn-On Delay Time VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Rise Time --- 9.2 19
    Td (off) Tempu di ritardu di spegnimentu --- 19 34
    Tf Tempu di caduta --- 4.2 8
    Ciss Capacità di input VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Capacità di output --- 98 112
    Crs Capacità di trasferimentu inversa --- 59 91

  • Previous:
  • Next:

  • Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi