WSP4888 Doppiu N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET Image Featured Image

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSP4888

BVDSS:30V

RDSON:13,5 mΩ

ID:9.8A

Canale:Dual N-Channel

Pacchettu:SOP-8

Pruduttu d'estate:A tensione di WSP4888 MOSFET hè 30V, u currente hè 9.8A, a resistenza hè 13.5mΩ, u canale hè Dual N-Channel, è u pacchettu hè SOP-8.

Applicazioni:E-cigarettes, caricatori wireless, mutori, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vitture, cuntrolli, apparecchi digitali, picculi apparecchi è elettronica per i cunsumatori.

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Descrizzione generale

U WSP4888 hè un transistor d'altu rendimentu cù una struttura di cellula densa, ideale per l'usu in cunvertitori buck sincroni. Si vanta eccellenti RDSON è carichi di cancellu, facendu una scelta maiò per queste applicazioni. Inoltre, u WSP4888 risponde à i requisiti RoHS è Green Product è vene cun una guaranzia 100% EAS per una funzione affidabile.

Features

A Tecnulugia avanzata di Trench presenta una alta densità di cellule è una carica di porta super bassa, riducendu significativamente l'effettu CdV / dt. I nostri dispositi venenu cù una guaranzia 100% EAS è opzioni ecologiche.

I nostri MOSFET sò sottumessi à strette misure di cuntrollu di qualità per assicurà chì rispondenu à i più alti standard di l'industria. Ogni unità hè testata accuratamente per prestazioni, durabilità è affidabilità, assicurendu una longa vita di u produttu. U so disignu robustu li permette di resiste à e cundizioni di travagliu estreme, assicurendu a funziunalità ininterrotta di l'equipaggiu.

Prezzi cumpetitivi: Malgradu a so qualità superiore, i nostri MOSFET sò assai prezzu competitivi, furnisce un risparmiu di costi significativu senza compromette u rendiment. Cridemu chì tutti i cunsumatori duveranu avè accessu à prudutti d'alta qualità, è a nostra strategia di prezzu riflette stu impegnu.

Ampia cumpatibilità: I nostri MOSFET sò cumpatibili cù una varietà di sistemi elettronichi, facendu una scelta versatile per i fabricatori è l'utilizatori finali. Si integra perfettamente in i sistemi esistenti, rinfurzendu u rendiment generale senza avè bisognu di mudificazioni maiò di disignu.

Applicazioni

Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza per l'usu in sistemi MB/NB/UMPC/VGA, Sistemi di Alimentazione DC-DC in Rete, Interruttori di Carica, Sigarette Elettroniche, Caricatori Wireless, Motori, Drones, Equipaggiamenti medicali, Caricabatterie, Controllers , Prudutti Digitali, Picculi Apparizioni Domestiche, è Elettronica di Cunsumu.

numeru materiale currispundente

AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
VGS	Porta-Source Voltage	± 20	V
ID@TC=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	9.8	A
ID@TC=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	8.0	A
IDM	Corrente di Drain Pulse 2	45	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	25	mJ
IAS	Avalanche Current	12	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di putenza tutale 4	2.0	W
TSTG	Range di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,034	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 10 V, ID = 8,5 A	---	13.5	18	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	18	25
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	1.5	1.8	2.5	V
		VGS=VDS, ID=250uA
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura		---	-5,8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current					uA
		VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, ID=8A	---	9	---	S
Rg	Resistenza di porta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.8	2.9	Ω
Qg	Carica Totale di a Porta (4.5V)	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A	---	6	8.4	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	2.5	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω	---	7.5	9.8	ns
Tr	Rise Time		---	9.2	19
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	19	34
Tf	Tempu di caduta		---	4.2	8
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	701	pF
Coss	Capacità di output		---	98	112
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	59	91