WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38 mΩ/80 mΩ

ID:7A/-5A

Canale:Canale N&P

Pacchettu:SOP-8

Pruduttu d'estate:U MOSFET WSP6067A hà una gamma di tensione di 60 volt pusitivi è negativi, una gamma di corrente di 7 amps pusitivi è 5 amps negativi, una gamma di resistenza di 38 milliohms è 80 milliohms, un N&P-Channel, è hè imballatu in SOP-8.

Applicazioni:E-cigarettes, caricatori wireless, mutori, droni, assistenza sanitaria, caricatori di vitture, cuntrolli, apparecchi digitali, picculi apparecchi è elettronica per i cunsumatori.

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Detail di u produttu

Applicazione

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Descrizzione generale

I MOSFET WSP6067A sò i più avanzati per a tecnulugia di trinchera P-ch, cù una densità assai alta di cellule. Offrenu prestazioni eccellenti in quantu à u RDSON è a carica di porta, adattati per a maiò parte di i convertitori buck sincroni. Questi MOSFET rispondenu à i criteri RoHS è Green Product, cù 100% EAS chì guarantisci una affidabilità funziunale cumpleta.

Features

A tecnulugia avanzata permette a furmazione di una trinchera di cellule à alta densità, risultatu in una carica di porta super bassa è una decadenza superiore di l'effettu CdV/dt. I nostri dispusitivi venenu cù una garanzia 100% EAS è sò amichevuli di l'ambiente.

Applicazioni

Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarettes, ricarica wireless, muturi, droni, equipaggiu medicale, caricatori di vittura, cuntrolli, apparecchi elettronichi, picculi apparecchi domestici è elettronica di cunsumatori. .

numeru materiale currispundente

AOS

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione		Unità
Simbulu	Parametru	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	60	-60	V
VGS	Porta-Source Voltage	± 20	± 20	V
ID@TC=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	7.0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Corrente di Drain Pulse 2	28	-20	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	22	28	mJ
IAS	Avalanche Current	21	-24	A
PD@TC = 25 ℃	Dissipazione di putenza tutale 4	2.0	2.0	W
TSTG	Range di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 4,5 V, ID = 4 A	---	55	75	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	1	2	3	V
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Resistenza di porta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Carica Totale di a Porta (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	2.6	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	4.1	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Rise Time		---	34	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	23	---
Tf	Tempu di caduta		---	6	---
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Capacità di output		---	65	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	45	---