WSR140N12 N-channel 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

prudutti

WSR140N12 N-channel 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WSR140N12
  • BVDSS:120V
  • RDSON:5 mΩ
  • ID:140A
  • Canale:N-canale
  • Pacchettu:TO-220-3L
  • Pruduttu d'estate:A tensione di WSR140N12 MOSFET hè 120V, u currente hè 140A, a resistenza hè 5mΩ, u canale hè N-canale, è u pacchettu hè TO-220-3L.
  • Applicazioni:Alimentazione, medicale, grandi apparecchi, BMS etc.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WSR140N12 hè u MOSFET N-ch di trinchera di più altu rendimentu cù una densità di cellule estrema alta, chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincronu. U WSR140N12 risponde à i requisiti RoHS è Green Product, 100% EAS garantitu cù affidabilità cumpleta di funzioni appruvata.

    Features

    Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt, 100% EAS Garantitu, Dispositivu Verde Disponibile.

    Applicazioni

    Convertitore Buck Synchronous Point-of-Load d'Alta Frequenza, Networking DC-DC Power System, Power supply, medical, major devices, BMS etc.

    numeru materiale currispundente

    ST STP40NF12 ecc.

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru Valutazione Unità
    VDS Drain-Source Voltage 120 V
    VGS Porta-Source Voltage ± 20 V
    ID Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V (TC = 25 ℃) 140 A
    IDM Corrente di Drain Pulse 330 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy 400 mJ
    PD Dissipazione di putenza tutale ... C = 25 ℃) 192 W
    RθJA Resistenza termica, junction-ambient 62 ℃/W
    RθJC Resistenza termica, junction-case 0,65 ℃/W
    TSTG Range di temperatura di almacenamiento - da 55 à 150
    TJ Gamma di Temperature di a Junction Operating - da 55 à 150
    Simbulu Parametru Cundizioni Min. Tipu. Max. Unità
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 120 --- --- V
    RDS (ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=30A --- 5.0 6.5
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID=250uA 2.0 --- 4.0 V
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IGSS Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=50V, VGS=10V, ID=15A --- 68.9 --- nC
    Qgs Porta-Source Charge --- 18.1 ---
    Qgd Porta-Drain Charge --- 15.9 ---
    Td (on) Turn-On Delay Time VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω, ID=25A --- 30.3 --- ns
    Tr Rise Time --- 33.0 ---
    Td (off) Tempu di ritardu di spegnimentu --- 59,5 ---
    Tf Tempu di caduta --- 11.7 ---
    Ciss Capacità di input VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz --- 5823 --- pF
    Coss Capacità di output --- 778.3 ---
    Crs Capacità di trasferimentu inversa --- 17.5 ---

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