WSR200N08 N-channel 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9 mΩ

ID:200A

Canale:Canale N

Pacchettu:TO-220-3L

Pruduttu Summery:U MOSFET WSR200N08 pò trattà finu à 80 volts è 200 amps cù una resistenza di 2.9 milliohms.Hè un dispositivu N-canale è vene in un pacchettu TO-220-3L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, caricatori wireless, mutori, sistemi di gestione di batterie, fonti d'energia di salvezza, veiculi aerei senza pilotu, apparecchi sanitari, equipaghji di carica di veiculi elettrici, unità di cuntrollu, macchine di stampa 3D, apparecchi elettronici, picculi apparecchi domestici è elettronica di u cunsumu.

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Descrizzione generale

U WSR200N08 hè u MOSFET N-Ch di trinchera di più altu rendimentu cù una densità di cellula estremamente alta, chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di convertitore buck sincronu.U WSR200N08 risponde à i requisiti RoHS è Green Product, 100% EAS garantitu cù affidabilità cumpleta di a funzione appruvata.

Features

Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu CdV / dt, 100% EAS Garantitu, Dispositivu Verde Disponibile.

Applicazioni

Applicazione di cunversione, Gestione di l'energia per Sistemi Inverter, sigarette elettroniche, ricarica wireless, mutori, BMS, alimentazione d'emergenza, droni, medicale, carica di vittura, controller, stampanti 3D, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.

numeru materiale currispundente

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Parametri impurtanti

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	80	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 25	V
ID@TC=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulsed Drain Current2,TC=25°C	790	A
EAS	Avalanche Energy, Single Pulse, L = 0.5mH	1496	mJ
IAS	Avalanche Current, Single Pulse, L = 0.5mH	200	A
PD@TC=25℃	Dissipazione di putenza tutale 4	345	W
PD@TC=100℃	Dissipazione di putenza tutale 4	173	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 175	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	175	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 10 V, ID = 100 A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Porta Resistenza	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Carica Totale di a Porta (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	31	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	75	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Rise Time		---	18	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	42	---
Tf	Tempu di caduta		---	54	---
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Capacità di output		---	1029	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	650	---