WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Descrizzione generale
U WST2078 hè u megliu MOSFET per i picculi interruttori di putenza è applicazioni di carica. Havi una alta densità di cellula chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta. Soddisfà i requisiti di RoHS è Green Product è hè statu appruvatu per a piena affidabilità di a funzione.
Features
Tecnulugia avanzata cù trincee à alta densità di cellule, carica di porta estremamente bassa, è eccellente riduzione di effetti Cdv / dt. Stu dispusitivu hè ancu favuritu di l'ambiente.
Applicazioni
A commutazione di piccula putenza sincrona à puntu di carica à alta frequenza hè perfetta per l'usu in MB / NB / UMPC / VGA, sistemi di rete DC-DC, interruttori di carica, sigarette elettroniche, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici è cunsumatori. l'elettronica.
numeru materiale currispundente
AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.
Parametri impurtanti
| Simbulu | Parametru | Valutazione | Unità | |
| Canale N | Canale P | |||
| VDS | Drain-Source Voltage | 20 | -20 | V |
| VGS | Porta-Source Voltage | ± 12 | ± 12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2,6 | A |
| IDM | Corrente di Drain Pulse 2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipazione di putenza tutale 3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Range di temperatura di almacenamiento | - da 55 à 150 | - da 55 à 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di Temperature di a Junction Operating | - da 55 à 150 | - da 55 à 150 | ℃ |
| Simbulu | Parametru | Cundizioni | Min. | Tipu. | Max. | Unità |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient di temperatura BVDSS | Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS = 4,5 V, ID = 3 A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS = 2,5 V, ID = 1 A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS = 1,8 V, ID = 1 A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS (th) | Tensione di soglia di porta | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS (th) | VGS(th) Coefficient di temperatura | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente di Fuga di Porta-Source | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transconductance in avanti | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Resistenza di porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Carica Totale di a Porta (4.5V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Porta-Source Charge | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Porta-Drain Charge | --- | 2.1 | --- | ||
| Td (on) | Turn-On Delay Time | VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 13 | 23 | ||
| Td (off) | Tempu di ritardu di spegnimentu | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Tempu di caduta | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Capacità di input | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Capacità di output | --- | 51 | --- | ||
| Crs | Capacità di trasferimentu inversa | --- | 52 | --- |
