WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45 mΩ/65 mΩ

ID:3.8A/-4.5A

Canale:Canale N&P

Pacchettu:SOT-23-6L

Pruduttu Summery:U MOSFET WST2078 hà valutazioni di tensione di 20V è -20V.Puderà trattà i currenti di 3.8A è -4.5A, è hà valori di resistenza di 45mΩ è 65mΩ.U MOSFET hà duie capacità di N&P Channel è vene in un pacchettu SOT-23-6L.

Applicazioni:E-cigarettes, cuntrolli, prudutti digitali, apparecchi, è elettronica di u cunsumu.

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Detail di u produttu

Applicazione

Tags di u produttu

Descrizzione generale

U WST2078 hè u megliu MOSFET per i picculi interruttori di putenza è applicazioni di carica.Havi una alta densità di cellula chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta.Soddisfà i requisiti di RoHS è Green Product è hè statu appruvatu per a piena affidabilità di a funzione.

Features

Tecnulugia avanzata cù trincee à alta densità di cellule, carica di porta estremamente bassa, è eccellente riduzione di effetti Cdv / dt.Stu dispusitivu hè dinù favuritu di l 'ambiente.

Applicazioni

A commutazione di piccula putenza sincrona à puntu di carica à alta frequenza hè perfetta per l'usu in MB / NB / UMPC / VGA, sistemi di rete DC-DC, interruttori di carica, sigarette elettroniche, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici è cunsumatori. l'elettronica.

numeru materiale currispundente

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Parametri impurtanti

Simbulu	Parametru	Valutazione		Unità
Simbulu	Parametru	Canale N	Canale P	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	20	-20	V
VGS	Tensione Porta-Source	± 12	± 12	V
ID@Tc=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1	2.8	-2,6	A
IDM	Corrente di Drain Pulse 2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di putenza tutale 3	1.4	1.4	W
TSTG	Gamma di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 4,5 V, ID = 3 A	---	45	55	mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 1 A	---	60	80
		VGS = 1,8 V, ID = 1 A	---	85	120
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS (th)	VGS(th) Coefficient di temperatura	VGS=VDS, ID=250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transconductance in avanti	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Porta Resistenza	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Carica Totale di a Porta (4.5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	2.1	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Rise Time		---	13	23
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	15	28
Tf	Tempu di caduta		---	3	5.5
Ciss	Capacità di input	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Capacità di output		---	51	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	52	---