WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

prudutti

WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WST2088
  • BVDSS:20V
  • RDSON:8 mΩ
  • ID:8.8A
  • Canale:N-canale
  • Pacchettu:SOT-23-3L
  • Pruduttu d'estate:A tensione di WST2088 MOSFET hè 20V, u currente hè 8.8A, a resistenza hè 8mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè SOT-23-3L.
  • Applicazioni:Sigarette elettroniche, cuntrolli, dispositi digitali, picculi apparecchi di casa, è elettronica di cunsumu.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    I MOSFET WST2088 sò i transistori N-channel più avanzati in u mercatu. Hanu una densità di cellula incredibbilmente alta, chì si traduce in un RDSON eccellente è carica di porta. Questi MOSFET sò perfetti per i picculi cambiamenti di putenza è applicazioni di commutazione di carica. Soddisfà i requisiti di RoHS è Green Product è sò stati pruvati cumplettamente per affidabilità.

    Features

    Tecnulugia avanzata di Trench cù alta densità di cellula, Super Low Gate Charge, è eccellenti diminuzione di l'effettu Cdv / dt, facendu un Dispositivu Verde.

    Applicazioni

    Applicazioni di energia, circuiti cù switching duru è alta frequenza, alimentazione ininterrotta, e-cigarettes, controllers, apparecchi elettronici, picculi apparecchi domestici è elettronica di cunsumu.

    numeru materiale currispundente

    AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, etc.

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru Valutazione Unità
    VDS Drain-Source Voltage 20 V
    VGS Porta-Source Voltage ± 12 V
    ID@Tc=25℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V 8.8 A
    ID@Tc=70℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V 6.2 A
    IDP Corrente di Drain Pulse 40 A
    PD@TA=25℃ Dissipazione di putenza tutale 1.5 W
    TSTG Range di temperatura di almacenamiento - da 55 à 150
    TJ Gamma di Temperature di a Junction Operating - da 55 à 150

    Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)

    Simbulu Parametru Cundizioni Min. Tipu. Max. Unità
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficient di temperatura BVDSS Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA --- 0,018 --- V/℃
    RDS (ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS = 4,5 V, ID = 6 A --- 8 13
    VGS = 2,5 V, ID = 5 A --- 10 19
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID=250uA 0,5 --- 1.3 V
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=16V, VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±12V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    Qg Carica Totale di a Porta VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A --- 16 --- nC
    Qgs Porta-Source Charge --- 3 ---
    Qgd Porta-Drain Charge --- 4.5 ---
    Td (on) Turn-On Delay Time VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A --- 10 --- ns
    Tr Rise Time --- 13 ---
    Td (off) Tempu di ritardu di spegnimentu --- 28 ---
    Tf Tempu di caduta --- 7 ---
    Ciss Capacità di input VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 1400 --- pF
    Coss Capacità di output --- 170 ---
    Crs Capacità di trasferimentu inversa --- 135 ---

  • Previous:
  • Next:

  • Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi