WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

breve descrizzione:

Numero di mudellu:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10,7 mΩ

ID:7.5A

Canale:N-canale

Pacchettu:SOT-23-3L

Pruduttu d'estate:A tensione di WST2088A MOSFET hè 20V, u currente hè 7.5A, a resistenza hè 10.7mΩ, u canale hè N-channel, è u pacchettu hè SOT-23-3L.

Applicazioni:Sigarette elettroniche, cuntrolli, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, etc.

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Detail di u produttu

Applicazione

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Descrizzione generale

U WST2088A hè u MOSFET di trinchera N-ch di più altu rendimentu cù una densità di cellula estrema alta, chì furnisce un eccellente RDSON è carica di porta per a maiò parte di e piccule applicazioni di commutazione di putenza è switch di carica. U WST2088A risponde à i requisiti RoHS è Green Product cù una affidabilità di funzione cumpleta appruvata.

Features

Tecnulugia avanzata di Trench à alta densità di cellule, Carica Super Low Gate, Eccellente diminuzione di l'effettu Cdv/dt, Dispositivu verde dispunibule

Applicazioni

Applicazione di cambiamentu di putenza, Circuiti Hard Switched è High Frequency, Uninterruptible Power Supply, Sigarette elettroniche, controller, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumazione, etc.

numeru materiale currispundente

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etc.

Parametri impurtanti

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃, salvu altrimenti indicatu)

Simbulu	Parametru	Valutazione	Unità
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Porta-Source Voltage	± 12	V
ID@Tc=25℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70℃	Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Corrente di Drain Pulse	24	A
PD@TA=25℃	Dissipazione di putenza tutale	1.25	W
TSTG	Range di temperatura di almacenamiento	- da 55 à 150	℃
TJ	Gamma di Temperature di a Junction Operating	- da 55 à 150	℃

Simbulu	Parametru	Cundizioni	Min.	Tipu.	Max.	Unità
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient di temperatura BVDSS	Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS = 4,5 V, ID = 6 A	---	10.7	14	mΩ
RDS (ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 5 A	---	12.8	17
VGS (th)	Tensione di soglia di porta	VGS=VDS, ID=250uA	0.4	0,63	1.2	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Corrente di Fuga di Porta-Source	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Qg	Carica Totale di a Porta	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Porta-Source Charge		---	1.6	---
Qgd	Porta-Drain Charge		---	3.4	---
Td (on)	Turn-On Delay Time	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Rise Time		---	15	---
Td (off)	Tempu di ritardu di spegnimentu		---	33	---
Tf	Tempu di caduta		---	13	---
Ciss	Capacità di input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Capacità di output		---	125	---
Crs	Capacità di trasferimentu inversa		---	90	---