WST8205 MOSFET WINSOK Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L

prudutti

WST8205 MOSFET WINSOK Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L

breve descrizzione:


  • Numero di mudellu:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID:5.8A
  • Canale:Dual N-Channel
  • Pacchettu:SOT-23-6L
  • Pruduttu Summery:U MOSFET WST8205 opera à 20 volts, sustene 5.8 amps di corrente, è hà una resistenza di 24 milliohms.U MOSFET hè custituitu da un Dual N-Channel è hè imballatu in SOT-23-6L.
  • Applicazioni:Elettronica per l'automobile, luci LED, audio, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumu, pannelli protettivi.
  • Detail di u produttu

    Applicazione

    Tags di u produttu

    Descrizzione generale

    U WST8205 hè un MOSFET N-Ch di trinchera d'altu rendiment cù una densità di cellule estremamente alta, chì furnisce un RDSON eccellente è una carica di porta per a maiò parte di l'applicazioni di cambiamentu di putenza è di carica.U WST8205 risponde à i requisiti RoHS è Green Product cù appruvazioni di affidabilità funziunale cumpleta.

    Features

    A nostra tecnulugia avanzata incorpora caratteristiche innovatori chì distinguenu stu dispusitivu da l'altri in u mercatu.Cù trincee di alta densità di cellula, sta tecnulugia permette una integrazione più grande di cumpunenti, chì porta à un rendimentu è efficienza rinfurzatu.In u risultatu, esige energia minima per cambià trà i so stati di accensione è di spegnimentu, risultatu in un cunsumu d'energia ridutta è una efficienza generale mejorata.Questa caratteristica di carica di porta bassa face una scelta ideale per l'applicazioni chì dumandanu un cambiamentu d'alta velocità è un cuntrollu precisu.Cdv/dt, o u ritmu di cambiamentu di a tensione di drenu à a surgente in u tempu, pò causà effetti indesiderati cum'è spikes di tensione è interferenza elettromagnetica.Per minimizzà in modu efficace questi effetti, u nostru dispositivu assicura un funziunamentu affidabile è stabile, ancu in ambienti esigenti è dinamichi.Hè cuncepitu cù a sustenibilità in mente, tenendu in cunsiderà fatturi cum'è l'efficienza energetica è a longevità.Operandu cù a massima efficienza energetica, stu dispusitivu minimizza a so impronta di carbonu è cuntribuisce à un futuru più verde. In sintesi, u nostru dispositivu combina tecnulugia avanzata cù trincee di alta densità di cellula, carica di porta estremamente bassa, è eccellente riduzione di effetti Cdv / dt.Cù u so cuncepimentu ecologicu, ùn solu furnisce prestazioni è efficienza superiori, ma ancu allinea cù a crescente necessità di soluzioni sustenibili in u mondu d'oghje.

    Applicazioni

    Sincronu di Puntu di Carica d'Alta Frequenza Piccola putenza di commutazione per MB / NB / UMPC / VGA Networking DC-DC Power System, Elettronica automobilistica, luci LED, audio, prudutti digitali, picculi apparecchi domestici, elettronica di cunsumazione, schede protettive.

    numeru materiale currispundente

    AOS AO6804A, NXP PMDT290UNE, PANJIT PJS6816, Sinopower SM2630DSC, dintek DTS5440, DTS8205, DTS5440, DTS8205, RU8205C6.

    Parametri impurtanti

    Simbulu Parametru Valutazione Unità
    VDS Drain-Source Voltage 20 V
    VGS Tensione Porta-Source ± 12 V
    ID@Tc=25℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Corrente di Drain Continuu, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Corrente di Drain Pulse 2 16 A
    PD@TA=25℃ Dissipazione di putenza tutale 3 2.1 W
    TSTG Gamma di temperatura di almacenamiento - da 55 à 150
    TJ Gamma di Temperature di a Junction Operating - da 55 à 150
    Simbulu Parametru Cundizioni Min. Tipu. Max. Unità
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficient di temperatura BVDSS Riferimentu à 25 ℃, ID = 1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS (ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS = 4,5 V, ID = 5,5 A --- 24 28
           
        VGS = 2,5 V, ID = 3,5 A --- 30 45  
    VGS (th) Tensione di soglia di porta VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS (th) VGS(th) Coefficient di temperatura   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente di Fuga di Porta-Source VGS=±12V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Transconductance in avanti VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Porta Resistenza VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Carica Totale di a Porta (4.5V) VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Porta-Source Charge --- 1.4 2.0
    Qgd Porta-Drain Charge --- 2.2 3.2
    Td (on) Turn-On Delay Time VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Rise Time --- 34 63
    Td (off) Tempu di ritardu di spegnimentu --- 22 46
    Tf Tempu di caduta --- 9.0 18.4
    Ciss Capacità di input VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Capacità di output --- 69 98
    Crs Capacità di trasferimentu inversa --- 61 88

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