Analisi di e cause impurtanti di a generazione di calore MOSFET

N tippu, P tipu MOSFET principiu di funziunamentu di l'essenza hè u listessu, MOSFET hè principarmenti aghjuntu à u latu input di a tensione di a porta à cuntrullà successu u latu output di u currenti drenu, MOSFET hè un dispusitivu voltage-cuntrullatu, à traversu u voltage aghjuntu à a porta per cuntrullà e caratteristiche di u dispusitivu, à u cuntrariu di u triode per fà u tempu di cambià per via di a corrente di basa causata da l'effettu di almacenamentu di carica, in l'applicazioni di cambiamentu, MOSFET's In switching applicazioni,MOSFET a velocità di cambiamentu hè più veloce di quella di triode.

In l'alimentazione di commutazione, u circuitu di drenu apertu MOSFET cumunimenti utilizatu, u drainu hè cunnessu à a carica cum'è hè, chjamatu drain apertu, circuitu di drain apertu, a carica hè culligata à quantu altu a tensione, sò capaci di accende, spegne u currente di carica, hè u dispusitivu di commutazione analogica ideale, chì hè u principiu di u MOSFET per fà i dispusitivi di cunversione, u MOSFET per fà cambià in forma di più circuiti.

In quantu à l'applicazioni di alimentazione di commutazione, sta applicazione richiede MOSFET per cunduttà periodicamente, spegne, cum'è l'alimentazione DC-DC cumunimenti utilizata in u cunvertitore buck di basa s'appoghja nantu à dui MOSFET per eseguisce a funzione di commutazione, questi switches alternativamente in l'inductor per almacenà energia, liberanu l'energia à a carica, spessu sceglienu cintunari di kHz o ancu più di 1 MHz, soprattuttu perchè più altu hè a freccia allora, più chjuchi i cumpunenti magnetichi. Durante u funziunamentu nurmale, u MOSFET hè equivalente à un cunduttore, per esempiu, MOSFET d'alta putenza, MOSFET di piccula tensione, circuiti, alimentazione hè a perdita minima di cunduzzione di u MOS.

Parametri MOSFET PDF, i pruduttori MOSFET anu aduttatu cù successu u paràmetru RDS (ON) per definisce l'impedenza di u statu, per l'applicazioni di cambiamentu, RDS (ON) hè a caratteristica più impurtante di u dispusitivu; datasheets definisce RDS (ON), u gate (o drive) voltage VGS è currenti chì scorri à traversu u switch hè in relazione, per un adecuata porta drive, RDS (ON) hè un paràmetru relativamente static; I MOSFET chì sò stati in cunduzzione sò propensi à a generazione di calore, è l'aumentu di a temperatura di junction lentamente pò purtà à un aumentu di RDS (ON);MOSFET datasheets specificanu u paràmetru di impedenza termale, chì hè definitu cum'è l'abilità di a junction semiconductor di u pacchettu MOSFET per dissipate u calore, è RθJC hè simplicemente definitu cum'è l'impedenza termale junction-to-case.

1, a freccia hè troppu altu, à volte over-perseguì u voluminu, vi purterà direttamente à alta frequenza, MOSFET nantu à a perdita aumenta, u più grande u calore, ùn fate micca un bonu travagliu di disignu dissipation dissipation di calore adattatu, altu currenti, u nominali valore attuale di u MOSFET, a necessità di una bona dissipazione di u calore per pudè ottene; ID hè menu di u massimu currenti, pò esse u caldu seriu, u bisognu di heatsinks ausiliari adeguatu.

2, errori di selezzione MOSFET è errori in u ghjudiziu di putenza, a resistenza interna MOSFET ùn hè micca pienamente cunsiderata, portarà direttamente à l'impedenza di commutazione aumentata, quandu si tratta di prublemi di riscaldamentu MOSFET.

3, per via di prublemi di design di circuitu, risultatu in u calore, cusì chì u MOSFET travaglia in un statu di funziunamentu lineale, micca in u statu di commutazione, chì hè una causa diretta di riscaldamentu MOSFET, per esempiu, N-MOS fà cambià, u G- a tensione di livellu deve esse più altu ch'è l'alimentu di energia da uni pochi V, per esse capace di cunduzzione cumplettamente, u P-MOS hè diversu; in l 'absenza di una piena aperta, a caduta di tensione hè troppu grande, chì vi risultatu in u cunsumu di energia, l'impedenza DC equivalenti hè più grande, a caduta di tensione vi dinù cresce, U * I vi dinù cresce, a perdita vi purtari a calori.