Caratteristiche di i MOSFET Enhanced

putenzaMOSFET Hè un rapportu di classi di voorkomende van voedingsapparaten, "MOSFET" hè di l'inglese "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor". Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap appparaat, de sleutel door het metaal material, SiO2 of SiN in halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de function van verliesniveau can worden onnderverdeeld in verbeterde type in licht depletie type, volgens word het in can worden over N-kanaal type fr tipu P-kanaal.

Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteritieke impedantie te definiëren; RDS(ON) hè ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS(ON) in relazione à tutti i beddrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is a relative statistiche gegevensparameter voor voldoende gate drive.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding will ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties in kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in series schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), in u so prucessu di selezzione di MOSFET, ci hè un pocu di parametri di MOSFET chì ci vole à vede i parametri di u MOSFET. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom è drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA di voedingsspanning in stroom waarbij di MOSFET velig kan werken.

Per i tipi di cundizzioni di carica sopra, dopu avè stimatu (o misurazione) a tensione di u funziunamentu più grande, è dopu lascià un marghjenu di 20% à 30%, pudete specificà u valore VDS attuale nominale necessariu di u MOSFET. Quì ci vole à dì chì, in ordine di megliu costu più forte è caratteristiche più liscia, pò sceglie in a serie di corrente AC diodi è induttori di corrente in a chjusa di a cumpusizioni di u ciclu di cuntrollu di corrente, liberate fora di l'energia cinetica inductiva di corrente per mantene l'. MOSFET. currente nominali hè chjaru, u currenti pò esse deduciutu. Ma quì ci vole à piglià in contu dui paràmetri: unu hè u valore di u currenti in u funziunamentu cuntinuu è u più altu valore di u spike currente di impulsu unicu (Spike and Surge), sti dui paràmetri per decide quantu duvete sceglie u valore nominale di u valore attuale.