Capacità di porta, resistenza è altri parametri di MOSFET

I. Porta capacità

A capacità di a porta include principalmente a capacità di input (Ciss), a capacità di output (Coss) è a capacità di trasferimentu inversa (Crss, cunnisciutu ancu com'è capacità di Miller).

Capacità di input (Ciss):

DEFINIZIONE: A capacità di input hè a capacità tutale trà a porta è a surgente è u drenu, è hè custituita da a capacità di a fonte di a porta (Cgs) è a capacità di a porta (Cgd) cunnessa in parallelu, vale à dì Ciss = Cgs + Cgd.

Funzione: A capacità di input influenza a velocità di commutazione di u MOSFET. Quandu a capacità di input hè incaricata à una tensione di soglia, u dispusitivu pò esse attivatu; scaricatu à un certu valore, u dispusitivu pò esse spegne. Dunque, u circuitu di guida è Ciss anu un impattu direttu nantu à u ritardu di attivazione è di spegnimentu di u dispusitivu.

Capacità di output (Coss):

Definizione: A capacità di output hè a capacità tutale trà u drenu è a surgente, è hè custituita da a capacità di drenu-surghjente (Cds) è di a capacità di drenu-drain (Cgd) in parallelu, vale à dì Coss = Cds + Cgd.

Role: In l'applicazioni soft-switching, Coss hè assai impurtante perchè pò causà resonance in u circuitu.

Capacità di trasmissione inversa (Crss):

Definizione: A capacità di trasferimentu inversa hè equivalente à a capacità di drenu di a porta (Cgd) è hè spessu chjamata a capacità di Miller.

Role: A capacità di trasferimentu inversa hè un parametru impurtante per i tempi di crescita è di caduta di u cambiamentu, è ancu affetta u tempu di ritardu di spegnimentu. U valore di capacità diminuisce cum'è a tensione di drain-source aumenta.

II. On-resistance (Rds(on))

Definizione: On-resistance hè a resistenza trà a surgente è u drainu di un MOSFET in u statu in u statu in cundizioni specifichi (per esempiu, corrente di fuga specifica, tensione di porta è temperatura).

Fattori influenzanti: On-resistance ùn hè micca un valore fissu, hè affettatu da a temperatura, u più altu a temperatura, u più grande u Rds (on). Inoltre, più altu hè a tensione di resistenza, più grossa hè a struttura interna di u MOSFET, u più altu hè a resistenza currispondente.

Impurtanza: Quandu si cuncepisce una fonte di alimentazione di commutazione o un circuitu di driver, hè necessariu di cunsiderà a resistenza di u MOSFET, perchè u currente chì passa per u MOSFET cunsumerà energia nantu à sta resistenza, è sta parte di l'energia cunsumata hè chjamata on- perdita di resistenza. Selezziunà un MOSFET cù bassa resistenza pò riduce a perdita di resistenza.

Terzu, altri parametri impurtanti

In più di a capacità di a porta è di a resistenza, u MOSFET hà alcuni altri parametri impurtanti cum'è:

V(BR)DSS (tensione di rottura di fonte di drain):A tensione di a fonte di drenu à a quale u currente chì scorri à traversu u drenu righjunghji un valore specificu à una temperatura specifica è cù a fonte di porta in cortocircuito. Sopra stu valore, u tubu pò esse danatu.

VGS(th) (tensione di soglia):A tensione di a porta necessaria per pruvucà un canale cunduttore per cumincià à furmà trà a fonte è u drain. Per i MOSFET standard di N-channel, VT hè di circa 3 à 6V.

ID (Corrente Massima di Drain Continuu):U massimu currente continuu DC chì pò esse permessu da u chip à a temperatura massima di junction rated.

IDM (Corrente di Drain Pulsata Massima):Riflette u livellu di corrente pulsata chì u dispusitivu pò trattà, cù a corrente pulsata hè assai più altu ch'è a corrente continua continua.

PD (dissipazione massima di putenza):u dispusitivu pò dissipate u massimu cunsumu putenza.

In riassuntu, a capacità di a porta, a resistenza è altri parametri di un MOSFET sò critichi per a so prestazione è l'applicazione, è anu da esse selezziunati è cuncepiti secondu scenarii è esigenze specifiche di l'applicazione.